使用了各种技术，我将列出一些。

1) 操作时探测 - 如果您有探针台，您可以操作设备并探测芯片内的中间信号。这要求封装（通常是 Si#N4 - 或有时是聚酰亚胺）也需要去除。一旦将其移除，芯片的寿命就会有限，但您无法对其进行探测。

此外，顶部金属芯片的特征尺寸也必须足够大以便能够进行探测。在大多数现代过程中，这是非常成问题的，因为即使在最简单的分辨率层上，它仍然太小而无法进行探测。

在这种情况下，我们使用 FIB（聚焦离子束）机器切割并在芯片上添加测试点。在这种情况下，您将保留钝化层，并将焊盘沉积在钝化层之上。然后 FIB 穿过钝化层并连接到下方的走线。这些机器通常以每小时 100 美元的价格收费。

2) 延迟：芯片逐层蚀刻，并在每个阶段拍摄照片和/或电子显微照片。了解器件的结构将使您能够将器件结构重新生成到 Si。这里尺寸很重要。要了解 Si 本身的注入需要使用 SIMS（二次离子质谱仪）机器，并在基板上铣出小孔，将离子抽真空到质谱仪机器中，并在机器向下钻取时显示物种和掺杂分布. 还有许多其他机器可以帮助确定物种和兴奋剂水平。

3）如果有flash或EEProm设备，上述两种技术都无济于事，因为设备的状态是由有无充电决定的，你无法读取。在这种情况下，还使用了其他工具。您将延迟到栅极电平以上，并尝试使用各种技术（如 AFM）（具有读取电子亲和性 - 特殊附件的能力）读取浮动栅极上存储的电荷。甚至可以使用诸如具有表面对比度增强功能的 SEM 之类的技术，让您可以像频闪灯一样监控正在运行的芯片。但这要求设备可以去除重要的金属层，并且仍然可以运行。这是不寻常的。

要完全 RE 一个芯片，您将需要多个芯片，并且随着您慢慢地逐步了解各个层，您将逐步学习。

有许多不同的技术被使用，大多数是为了帮助设计人员调试问题而不是 RE，这充其量只是一个简短的概述。