根据快速搜索，它们成本更高，反向漏电流更高，并且体积更大。当然，它们的速度要快得多:)

看起来在相同尺寸的比较中，它们消耗的功率不如典型的功率二极管。同样，随着电流的增加，您将失去 Vfw 优势。哦，维基说它们通常具有较低的反向电压额定值，约为 50V。

远非一个完整的列表：

• 同等等级的肖特基二极管通常比 PN 硅二极管更昂贵。我已经看到了 20% - 200% 的价格差异，具体取决于评级。
• 肖特基二极管的最大反向电压额定值低于 PN 二极管。

出于与肖特基具有低正向压降基本相同的原因，它们具有较大的反向电流。

从二极管方程：

$I_f = I_s\cdot e^{\frac{-qV_f}{kT}}, V_f = \frac{kT} {q}\cdot \ln\frac{I_f}{I_s}$

-- 具有较大的 Is 项使 Vf 变小。但是，反向漏电流也等于 Is 值。

从它们的结构来看，硅肖特基仅能承受大约-30 V。创建了更高电压的器件，但基本上这些器件具有与其串联的内部 JFET——这实际上可以承受大部分反向电压。

这听起来可能有点奇怪，但在某些用途中很重要：低正向电压降。

有时在设备中的组件之间分配散热很有用。以传统的线性电压源为例：你有一个变压器、一个全波整流器、一个大电容器和一个稳压器，以及它附近的一些较小的电容器。

假设变压器的标称输出电压为 12 V AC。一旦我们对其进行整流并填充电容器，在理想二极管没有压降的情况下，电容器上的电压约为 17 V DC。如果我们想为一个由 LM7812 调节的设备供电，我们需要以某种方式消耗掉 5 个额外的电压。稳压器的典型压差电压为 2 V，因此我们剩下大约 3 V 的电压来消除。这将进入调节器的散热器，并会增加调节器散发的热量。另一方面，如果我们看一下 1N4007 的数据表，我们可以看到正向电流区域的正向压降介于 0.7 V 和 1 V 之间，这对 LM7812 的用户来说会很有趣。因此，在低电流消耗的情况下，剩余的 3 个伏特最多会变成 1 个。6 V（因为我们在任何时候都有两个二极管在整流器中导通）需要消散到稳压器的散热器中。在更高的电流下，剩余的 3 V 会变成 1 V，这不是什么大问题，如果稳压器的压降电压高于典型的 2 V，这会给我们一些余量。

如果我们使用肖特基型 1N5819 二极管作为桥式整流器，我们会在二极管上产生大约 1.2 V 的压降，从而使我们有更多的热量散发到稳压器本身。