这是一个非常方便的反极性保护方案。

当\$V_{gs}\$为负时， AP 通道 MOSFET 开启，可能从 -3V 到 -5V 左右开始。接通电源时，\$V_{gs}=0V\$。这就是数据表中跨过 MOSFET 的寄生二极管发挥作用的地方（仅用于说明目的，请勿在漏极和源极之间放置二极管）。它允许电流流动、漏到源，并下降约 1V。

^{模拟此电路- 使用CircuitLab创建的原理图}

假设电源电压为 10V：

$$V_{gs}=V_g-V_s=0V-9V=-9V$$

MOSFET 被驱动进入饱和状态。由于 MOSFET 的导通电阻\$R_{ds(on)}\$约为\$25m\Omega\$，因此寄生二极管会短路。

如果极性反转，寄生二极管永远不会导通，因此永远不会允许 MOSFET 开启。

您需要注意数据表中的最大值\$V_{gs}\$。MOSFET可能能够切换100V，但最大\$V_{gs}\$可能只有20V。在这种情况下，您必须放置某种分压器来保护 MOSFET 的栅极：

^{模拟这个电路}