在瞬态电压抑制器上,我们以单向Fairchild P6KE11A为例,如图所示,反向隔离电压 (\$V_{RWM}\$) 和击穿电压 (\$V_{BR}\$) 之间的主要区别是什么在第 2 页的图表上?
在我对这部分进行反向偏置的实验中,它开始在 10.65V 下导通。这在 10.5 到 11.6 的 \$V_{BR}\$ 范围内。我想我明白 \$V_{BR}\$ 范围是我可能期望从一个特定的 P6KE11A 到另一个的范围,但是反向隔离电压有什么用?
在瞬态电压抑制器上,我们以单向Fairchild P6KE11A为例,如图所示,反向隔离电压 (\$V_{RWM}\$) 和击穿电压 (\$V_{BR}\$) 之间的主要区别是什么在第 2 页的图表上?
在我对这部分进行反向偏置的实验中,它开始在 10.65V 下导通。这在 10.5 到 11.6 的 \$V_{BR}\$ 范围内。我想我明白 \$V_{BR}\$ 范围是我可能期望从一个特定的 P6KE11A 到另一个的范围,但是反向隔离电压有什么用?