下图是我对NAND闪存操作的理解。
NAND 闪存的工作原理是首先擦除单个块中的所有单元（基本上将其设置为“1”），然后选择性地写入 0。我的问题是 - 由于字线在单个页面中的所有单元之间共享，NAND 控制器如何将 0 编程到页面中的特定单元中？
对于 NOR 闪存，很容易看出可以通过使用热电子注入（在单元上施加高电压）对特定单元进行编程。但是对于 NAND，这是不可能的，因为 NAND 单元是相互串联的，并且不可能对特定单元施加高电压。所以在 NAND 中所做的是量子隧道，其中字线被赋予高电压以写入 0。我不清楚的是如何使这个电压具有选择性（换句话说，因为字线在一个单元之间共享页，将单个位编程为 0 的高电压不应该也将页面中的其他位设为 0）。
下图是问题中您的 NAND 闪存阵列组织的更详细版本。NAND 闪存阵列被划分为块，这些块又被细分为页。页面是外部控制器可以寻址的最小数据粒度。
上图是来自Vidyabhushan Mohan的图 2.2“A NAND 闪存阵列” 。建模 NAND 闪存的物理特性。硕士论文。弗吉尼亚大学夏洛茨维尔分校。2010 年 5 月。
为了执行编程操作，换句话说，将“ 0 ”写入所需的单元，外部存储器控制器需要确定要编程的页面的物理地址。对于每个写操作，需要选择一个空闲的有效页面，因为 NAND 闪存不允许就地更新操作。然后控制器将 编程命令、要编程的数据和页面的物理地址发送到芯片。
当来自控制器的编程操作请求到达时，存储器阵列的一行（对应于所请求的页）被选择并且页缓冲器中的锁存器被加载有要写入的数据。然后在GST由控制单元关闭时打开SST 。为了发生FN 隧穿，需要在浮栅和衬底上施加高电场。这种高电场是通过将选定行的控制栅极设置为高电压Vpgm并将对应于逻辑“0”的位线偏置到地来实现的.
这会在浮栅和衬底之间产生高电位差，导致电子从衬底隧穿到浮栅上。对于“ 1 ”编程（基本上是非编程），存储单元应该保持与编程操作之前相同的状态。虽然采用了不同的技术来防止此类单元的电子隧穿，但我们假设自升压编程禁止操作。
该技术通过将对应于逻辑“ 1 ”的位线驱动到Vcc并通过打开SSL和关闭GSL来提供必要的编程禁止电压。当所选行的字线上升到VPGM时，通过控制栅极，浮栅，通道和批量的串联电容耦合，自动升高通道电位并防止FN隧道隧道。
这些信息是从这里获取和总结的，更多关于 NAND 闪存编程的细节也可以从该来源中找到。