这个问题与AVR 解编程本身有关。
项目信息：
我们有一个使用 ATMEGA644P 的电池供电产品。应用程序永久在睡眠模式下运行，并且仅在每秒一次 (RTC) 或触发两个外部中断线之一时唤醒。
该设备具有一个非常简单的引导加载程序，通过 UART 进行通信（使用 RS232 接口 IC）。它只是作为一种更新固件的便捷方法，因此不需要硬件 ISP 编程器。（引导加载程序需要校验和安全电报）
这些设备设计为禁用内部掉电，因为它使功耗加倍并且必须延长电池寿命（我想应该使用外部掉电检测 - 重新设计正在进行中）。
问题：
每隔几个月，设备就会停止工作，这些设备上没有执行任何固件更新。但是，经过进一步检查，这些设备的闪存内容似乎已损坏。此外，其中一些设备的电池仍然很好，但我不想排除某种欠压情况。
这是原始闪存内容（左）与损坏内容（右）的比较：
一些观察：
- 损坏的块始终包含至少一个闪存页（256 字节）并且是页对齐的。换句话说：只有整个页面受到影响，而不是单个字节。
- 损坏的内容大部分时间读取 0xFF，但也可能包含一些其他值或完全“随机”。
- 图像左侧的小条显示所有受影响的区域。对于这个设备，它大约是闪存总内容的十分之一。
- 我们有一个设备，其中只有一个页面受到影响。
写入闪存时的欠压情况可能会损坏闪存内容，这是完全合理的。但是，这意味着必须执行一些对闪存敏感的指令。
也许控制器由于电压不足而随机重新启动，并且在此期间引导加载程序代码的行为完全不可预测。引用另一个论坛上关于欠压的一些人的话：
“不仅是来自闪存的随机指令正在执行，而且是随机指令周期（无法保证来自闪存的代码将被正确读取和解释）。除此之外，mcu 的其他部分可能无法按设计运行，包括保护机制。”
问题：
您认为“欠压期间的随机行为和执行某些指令会更改闪存页面中的数据” - 解释是否合理？如果是这样的话，为什么我们不一直看到这种错误只是一些软件问题（堆栈溢出、无效指针）的原因。
你有什么其他想法会导致这种腐败吗？这可能是由 EMI/ESD 引起的吗？