我认为您和您的老师都是对的-您只是没有使用相同的定义，因此您的措辞不同意。

根据您的描述：

没有基极的晶体管不应该只是半导体（PP，NN）吗？

您将“基极”定义为正常 BJT 中间的半导体 - NPN 中的 P 掺杂区域或 PNP 的 N 掺杂区域。在这方面你是对的：光电晶体管仍然具有这种 PNP 或 NPN 结构。

您的老师可能会以不同的方式定义基极-您通过电流以实现集电极-发射极电流的端子。当您以这种方式看待它时，他也是对的-大多数光电晶体管（我自己知道没有违反此规则的，除了一些光耦合器）没有“基极”引线。触发电流的唯一方法是通过光子撞击基区，并通过这样做释放电子，从而打开设备。

两者都是有道理的，尽管我认为在认为“无碱基”意味着“pp 或 nn”半导体时需要小心。存在许多复杂的半导体结构，它们具有许多区域，但引线却很少。看看三端双向可控硅开关或 IGBT！

基本连接通常不使用，因此主要用于拾取噪音。

您可以找到没有基座连接的光耦合器（4 针）和其他（例如 4N35）将基座连接引出（有时使用它的地方）。

同样，单个光电晶体管通常封装在带有透镜和 2 引脚引线框架的类 LED 封装中。

显然，这里混淆的根源是base的含义：您假设它是“基础区域”，而您的老师似乎假设它是“基础终端”。

定义 BJT 晶体管的是 NPN 或 PNP 结构。这些区域中有多少通过端子暴露是无关紧要的：大多数晶体管会有三个，但光电晶体管可能只有两个，寄生晶体管结构可能根本不暴露，但它们仍然表现相似，被认为属于同一个器件班级。

光电晶体管有点特殊，因为它们没有严格意义上的基极电流，因为载流子是在基极本身产生的。但由于该结构的行为仍然与常规 BJT 非常相似，这一事实通常被忽略，光产生的光电二极管电流被认为是基极电流。

你老师说的对。BJT 光电晶体管很少有基极连接。

控制从集电极到发射极的电流流动的是击中基区的光。光线越多，电流越大。这就是使它成为光电晶体管而不仅仅是晶体管的原因。