我目前正在学习当前的镜像配置。到目前为止,我已经做了两个。它们都按预期工作,但是当加热或冷却时,通过右侧(输出输出的一侧)的电流会随着温差小而显着减少或增加。
两个电路的 \$R_{load}\$ 均低或短路至 +10V。两个电路都设置为镜像 500 uA 的电流。所有晶体管都是手工匹配的(就 beta 而言,它们彼此非常接近)。
在没有发射极退化的情况下,两个电路都受到温度的显着影响,尤其是图 A,当我用 a指尖;但是当用指尖触摸晶体管 Q4 和 Q5 时,通过 \$R_{load2}\$ 的电流改变了 50 uA(加热时间也是 1 秒),这比第一个示例中的要少,但仍然太多。
通过发射极退化,两个电路都大大提高了它们的温度稳定性。例如(添加的 \$R_e\$ 为 1 kOhm)如果我参考图 B,通过 \$R_{load2}\$ 的电流仅变化 10 uA(加热约 1 秒时),而图A的结果有点糟糕。
随着发射极退化被添加到 Q1/Q2 或 Q3/Q4,这两个电路都得到了改进。在这两个示例中,通过 Q1 或 Q3 的电流始终大致恒定,但通过 Q2 或 Q5 的电流甚至不接近该值。
- 由于温度变化,我有什么方法可以补偿此处显示的任一电路?我以为 Q5 会纠正电流中的温度变化误差,但显然没有。