我有一个二进制信号,0V 到 1.4V,我不能直接改变。我可以使用什么电路(在 PCB 上)将 1.4V 增加到至少 2.5V。
我需要晶体管吗?我想我正在寻找一个在 1.4V 时会“关闭”的开关?我在电子方面完全是个菜鸟,但我在物理学和理解方程式方面还不错
我有一个二进制信号,0V 到 1.4V,我不能直接改变。我可以使用什么电路(在 PCB 上)将 1.4V 增加到至少 2.5V。
我需要晶体管吗?我想我正在寻找一个在 1.4V 时会“关闭”的开关?我在电子方面完全是个菜鸟,但我在物理学和理解方程式方面还不错
你要求一个逻辑电平转换器。
有封装的芯片可以为你做所有事情,但你自己用离散的部件构建一个也不难。有很多方法可以做到这一点,每种方法都有不同的权衡。
我发现这个来自 NXP Semiconductors 的AN10441的原理图是获得该功能的一种非常优雅的方式:
该示意图显示了 I²C 总线上的逻辑电平转换器,该总线具有两条信号线。如果您只需要移动一条线,则只需要一个 MOSFET 和两个上拉电阻,一个在其栅极上,另一个在其漏极上。同样,如果您需要移动更多线路,您只需在每条线路上添加一个 MOSFET 和一对上拉电阻。
对于原理图中显示的示例,具有 3.3 V 和 5 V 逻辑电平,任何小信号 MOSFET 都可以工作,例如无处不在的 2N7000。然而,大多数通用 MOSFET 的 V GS(th)最大值太高而无法与您的 1.4 V 逻辑电平一起使用。您将不得不寻找更专业的产品,例如Vishay TN0200K或Zetex (Diodes, Inc.) ZXMN2B14FH。
上拉电阻 (R p ) 的值在一定程度上取决于应用,但即使在那时也会有很宽的范围。10 kΩ 在这里是一个流行的值,在速度、噪声和电流消耗之间进行了很好的权衡。我可以看到在某些情况下使用低至 1 kΩ 的值,而在其他情况下使用 1 MΩ 以北的值。
应用笔记描述了电路的工作原理,但要解释一下:
在数据线没有任何连接的情况下,上拉电阻器将数据线的一侧带到低电压逻辑电平(V DD1),另一侧变成高电压逻辑电平(V DD2)。
当低压侧将信号线拉低时,它会将 MOSFET 的源极引脚拉低。由于栅极连接为高电平,这会导致 MOSFET 在 V GS超过 V GS(th)阈值时开启,因此它会导通,也将高压侧向下拖动。
当高压侧也想做同样的事情时,就比较复杂了。该电路方案依赖于每个 MOSFET 都内置了一个寄生二极管这一事实,如上图的 MOSFET 符号所示。(MOSFET 符号并不总是显示寄生二极管,但它始终存在。)通过向下拖动漏极引脚,高压侧导致该二极管导通,从而间接向下拖动低压侧的源极引脚,导致与前一种情况相同的事情发生。
默认情况下,电路“骑高”的这种趋势可能并不适合所有应用。如果一端可能会断开,并且保持连接的设备没有主动拉下数据线,则数据线将变为高电平。这对 I²C 来说很好,因为高逻辑电平是正常的空闲状态。如果您的数据线不能这样工作,但两端都不能拔掉,并且至少一端总是在希望线路为低电平时主动拉低线路,则该电路仍然可以工作。
您可以使用一些分立元件(晶体管和电阻器)构建一个逻辑电平转换器(这就是它的名称),或者您可以使用单组件解决方案,即 IC。大多数 IC 不接受低至 1.4 V 的输入电压,但我发现 Fairchild 的FXLP34可以。(您想要 FXLP34P5X,其他版本有无引线封装,因此更难焊接)
连接图:
A是您提供低电平输入信号的地方,Y是您的“高”电平输出信号。Vcc1是您的 1.4 V 连接,将所需的输出电压连接到Vcc(最高 3.6 V)。
该设备可能很难少量获得,也许经销商可以提供一些样品。
PS:是的,那个小光标也出现在数据表的图像中:-)
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如果 PCB 空间非常宝贵,另一种选择是:OnSemi NLSV1T34采用 Damn Small™ 1.2mm x 1mm DFN封装。对于凡人也在SOT-353中。
注意:更正了逻辑反转问题。
您所描述的问题的基础似乎被称为“逻辑电平转换器”或转换器。本质是您在给定的信号电平上有一个数字逻辑(二进制)信号,并且您希望使用它来适应另一个信号电平。
数字逻辑信号通常根据它们所属的原始逻辑系列进行分类。示例包括 TTL(低:0,高:+5V),CMOS(低:0,高:5 至 15V),ECL(低:-1.6,高:-0.75),LowV(低:0V,高:+3.3 )。
理想情况下,您还应该注意切换阈值。例如,在前两个图形中显示 TTL 逻辑电压电平的逻辑信号电压电平。
如果您希望放大 0 或 1.4V 的逻辑信号,则可以将单个晶体管配置为电子开关以充当电平转换器。
(来源:mctylr )
在您的应用中,输出是 5V 电平输出(0 或 5V,取决于低/高状态),M1
可以是常见的小信号 N 沟道增强模式 MOSFET 晶体管,TO-92塑料通孔中的2N7000 ,以及SMT 封装。
电阻器R2
应该是 330Kohms,(额外的电阻器组件细节并不重要,例如 1 或 5% 的容差,1/8 到 1/4 瓦的额定值就可以了)。
电阻器的电阻值并不是特别重要,我选择了一个近似标准值,这样如果M1
不导通,则输出将低于 ~0.8 V,而当M1
导通时(即输入为 1.4V,“高”),则输出将约为 5V。我使用快速 SPICE 模拟选择了该值。
V3
为+1.4V电压源,V2
为+5V电压源。
其他值(容差和功率)是用于选择实际元件的常见通孔元件值,但在此应用中并不重要。
这是一个非常简单和小型的电路,三个普通电子部件的成本约为 25 美分或更少。
由于您没有提到任何高速要求(即切换速度),所以这应该适用于大多数简单的情况。
我采用了这种使用 MOSFET 而不是双极结型晶体管的方法,因为我无法让单个 BJT 在切换时提供所需的电压摆幅。从设计的角度来看,FET(和 MOSFET)的好处在于它们是电压控制器件(就设计模型而言),而不是像 BJT 那样受电流控制。
要改变电压,您可以使用可靠的手绕变压器。去书店取一份用于业余无线电的 ARRL 通用类许可证手册。它教你如何做到这一点。
对于压控开关,松下制作了一款名为 1381 电压触发的 IC。它旨在在电压降至一定水平以下时关闭开关(通常用于在电池耗尽时关闭小工具)。它可从 Solarbotics 获得。