当通过双向可控硅的电流低于保持电流 \$I_H\$ 时，双向可控硅停止导通。对于纯电阻负载，这发生在正弦波周期的最后，并且电压和电流同相。当负载具有感应组件（例如电机）时，电流和电压之间存在滞后。在电流下降到\$I_H\$以下的那一刻，电压已经反极性上升。因此，当三端双向可控硅开关关闭时，三端双向可控硅开关上的 dV/dt 很大——“电压立即被切断”。这种情况会导致三端双向可控硅自触发，并开始不受控制地进行。补救措施是使用缓冲电路，即与三端双向可控硅开关并联的 RC。

dV/dt 是电压对时间的导数。换句话说，它是电压变化（delta V 或 ΔV）除以时间变化（delta t 或 Δt），或电压随时间变化的速率。

如果您的曲线为 \$y = x^2\$，如下所示： -

x = 3 (y = 9) 时的斜率可以通过计算 y 变化量除以 x 变化量来估算。这种变化称为“delta”，因此斜率是\$\Delta y/\Delta x\$。

考虑到无限小的变化，数学上它被“重命名”为 dy/dx。甚至可以通过将 dy 和 dx 添加到原始公式来代数证明：-

\$y + dy = (x + dx)^2\$

\$y + dy = x^2 +2xdx +dx^2\$

从两边减去 y ( = \$x^2\$) 得到： -

\$dy = 2xdx + dx^2\$

然后注意到如果 \$dx\$ 非常小，那么 \$dx^2\$ 可以被忽略，因此： -

\$\dfrac{dy}{dx} = 2x\$

换句话说，在曲线 \$y = x^2\$ 上的任何点，斜率为 2x

就电压随时间的变化而言，它是 dv/dt。它对三端双向可控硅和 MOSFET 具有重要意义，如果电压随时间的变化率太大，可能会导致此类设备触发或部分激活。

到目前为止，每个人都已经解释了 \$\frac{\Delta v}{\Delta t}\$ 的含义（电压变化率，它的梯度，电压对时间的一阶导数）

但这与 TRIAC 有什么关系？如果设备上的 dv/dt 很高，则可以重新选通三端双向可控硅开关，例如晶闸管/SCR

http://class.ece.iastate.edu/ee330/miscHandouts/AN_GOLDEN_RULES.pdf

当驱动负载电压和电流波形之间存在显着相移的高电抗负载时，最有可能发生这种情况。当三端双向可控硅开关在负载电流过零时换向时，由于相移，电压不会为零（见图 6）。然后突然需要三端双向可控硅开关来阻止这个电压。如果换向电压的最终变化率超过允许的 dVCOM/dt，它会迫使三端双向可控硅开关重新导通。这是因为没有给移动电荷载体时间来清除结。