我纯粹出于好奇而想知道这一点。如果我们在雪崩模式下通过施加非常高的反向电压来极化 LED(但保持低电流以使组件不会烧毁),这样使用时它是否也可以发光?
(我不“只是试试看”的原因是因为涉及的高电压)。
我纯粹出于好奇而想知道这一点。如果我们在雪崩模式下通过施加非常高的反向电压来极化 LED(但保持低电流以使组件不会烧毁),这样使用时它是否也可以发光?
(我不“只是试试看”的原因是因为涉及的高电压)。
首先我认为它不会,但令人惊讶的是我发现了这个: 雪崩模式超结发光二极管
所以你想做的事情理论上是支持的。但为此,您必须制作特殊的二极管。我认为普通的普通二极管不会起作用。祝你好运。自己做实验,学习。
我会说:一般来说,不,情况并非如此。
LED 型器件中的光发射通常发生在电子和空穴复合时,并且在该过程中释放的能量被转换为具有产生波长的光子。这发生在点状半导体结的过渡区,那里的能带结构存在梯度。
让我们想象一个处于反向偏置的二极管:在上述过渡区,实际上没有自由电荷载流子(没有空穴和电子),因此该器件将是一个完美的隔离器——我说如果不是自发产生这种载流子对的话,“将会”由于热效应(以及诸如光子吸收之类的事情)而发生。
现在,在雪崩击穿条件下,穿过隔离区的电场非常高,以至于电荷载流子加速得非常快——并且可能“击倒”非导电带中的其他电荷(让这感觉更科学一点:电场给自发产生的电荷提供足以将 k 空间中的更多电荷转移到导带的脉冲)。
现在,这些电荷只会传播到接触区域并在那里重新结合——通常没有地方有 a) 明确定义的带隙可以发射可见光子,b) 没有光学结构可以耦合出该光。您只需加热基材。
这并不是说在这一切中不会有光发射:纯粹从随机的角度来看,可能会发生一些与可见发射的重组,而且,没有什么说在雪崩击穿的时间过程中,不会有”在某些时候,整个场配置不会导致有趣的能带图,其中 LED 的光学相关部分内的复合可能会发生,其光子能量与 LED 设计的完全不同。
我的研究是关于同一主题的,我是上面发布的雪崩模式超结 LED 的作者。如果有兴趣,您可以阅读这些额外的以下论文。
http://aip.scitation.org/doi/full/10.1063/1.4931056
http://proceedings.spiedigitallibrary.org/proceeding.aspx?articleid=2601523
作为 1970 年代的孩子,我从一个过剩的卖家那里购买了一个大型 TO-60 IR LED。它吸引了一个放大器,你可以用肉眼看到暗红色的光芒。然后我立即通过不小心将其向后连接而将其杀死,即使使用了适当的串联电阻也是如此。它在低于 12V 的地方发生故障,芯片表面可见电极的边缘发出宽带(白色)光。
某种雪崩模式荧光?不是彩色的,也不是红外线,而是白光。它的运行电压远高于 1.1V。