请解释一下故障的过程;这个保护二极管究竟是如何保护晶体管的?
在霍洛维茨和希尔的书“电子艺术”,第 2 版,在“第 2 章 - 晶体管”(第 68 页)中,我读到以下内容:
- 永远记住,硅晶体管的基极-发射极反向击穿电压很小,通常只有 6 伏。输入摆幅足够大以使晶体管无法导通很容易导致击穿(除非添加保护二极管,否则会导致 hFE 退化(图 2.10)。
如果电流仅在该二极管中流向一个方向,则无法弄清楚该二极管如何保护晶体管免于击穿。

请解释一下故障的过程;这个保护二极管究竟是如何保护晶体管的?
在霍洛维茨和希尔的书“电子艺术”,第 2 版,在“第 2 章 - 晶体管”(第 68 页)中,我读到以下内容:
- 永远记住,硅晶体管的基极-发射极反向击穿电压很小,通常只有 6 伏。输入摆幅足够大以使晶体管无法导通很容易导致击穿(除非添加保护二极管,否则会导致 hFE 退化(图 2.10)。
如果电流仅在该二极管中流向一个方向,则无法弄清楚该二极管如何保护晶体管免于击穿。

二极管到位以保护晶体管免受反向 \$V_{BE}\$ 击穿。如果您通过使晶体管的发射极比基极更正~\$6\rm{V}\$ 来反向偏置基极-发射极结,它将击穿并开始导电。
这种反向击穿会损坏基极-发射极结,导致 \$h_{FE}\$ 退化。
通过如图所示放置一个二极管,反向偏置电压被限制在 ~\$0.7\rm{V}\$;尝试施加更多电压将是徒劳的,因为二极管会传导大量电流并防止电压升高。这保护了晶体管的基极-发射极结。