您正在寻求添加 LED 指示灯的帮助,但您的电路还有其他一些问题。当 Pi电压低于 5.0 伏时,它会变得不稳定,并且 1N4007 二极管的压降为 0.8 或 0.9 伏。一种解决方案是使用只有 0.3 伏降的肖特基二极管,例如 1N5820。
可以为 Pi 提供更好电压的二极管替代方案是以下电路:

当主电源下降时,这里使用 P 沟道 MOSFET 将电池与 Pi 连接。比较器 (LM293) 将电池电压与主电源电压进行比较。当主电压低于电池电压时,MOSFET 开启,LED 点亮。IRF4905的低导通电阻确保当 MOSFET Vgs=-5V 时电池的电压降低于 0.1 伏。电池将为 Pi 供电,直到主电压恢复,因为比较器随后将关闭 MOSFET。
编辑:一些细节。
电路中存在一些误差源,使其不够精确,但足以达到预期目的。10k 电阻器的容差和比较器偏移电压可以稍微改变开关点。需要 1k 电阻(不是 220 欧姆),因为 LM293 不能吸收太多电流。当 Vgs 为 -5.0 伏特时,MOSFET Q1 必须具有低电阻(IRF7410 是一个极好的选择,但仅可用于表面贴装)。当 Vbat 和 Vin 几乎相等时,由于可变 Pi 处理产生的噪声可能会导致 MOSFET 快速开启和关闭。这可能会在 MOSFET 中引起不必要的热量。其中一个分压器上的电容器将停止任何快速振荡(但会减慢对下降的 Vin 的响应)。此外,电路已经快速设计,没有模拟或测试......
编辑3:更正。
如果电源 Vin 比 Vbat 高 700 mV 以上,MOSFET 中的集成反向偏置二极管将导通并尝试从电源为电池充电。这可能不是你想要的。与 Q1 串联的肖特基二极管可以防止反向电流,但这会破坏 MOSFET 的作用!我应用了背靠背 MOSFET 的巧妙技巧。通过安装 2 个具有公共漏极或公共源极的 MOSFET,可以阻止体二极管电流泄漏。该对将具有两倍的电阻(Rds on),但这在此应用中并不重要。