我正在尝试从我们的硬件中拯救一些数据。在板上我有一对三星 k9f4g08u0d NAND 芯片。每个芯片都被转储到包括每个块，包括备用区域。如果我反转转储中的每个字节并交错两个芯片（例如输出chipA[0],chipB[0],chipA[1],chipB[1] ...等），我可以看到整个转储中都有 ascii 文本。根据 1 个芯片的数据表，我知道以下内容：
- 块：每台设备 4096 个
- 页数：每块 64 页
- 页大小：（2K 数据 + 64 备用）= 2112 字节
但由于芯片交错在一起，实际上每页有（4K 数据 + 128 备用）= 4224 字节的数据。
备用区域是相邻的，而不是分开的，因此页面中 512 字节数据的每个部分紧跟其后是 16 字节的备用数据（或带外：OOB）。
相邻布局： +-----+----+-----+----+-----+----+-----+----+----- +----+-----+----+-----+----+-----+----+ | 第512话 16 | 第512话 16 | 第512话 16 | 第512话 16 | 第512话 16 | 第512话 16 | 第512话 16 | 第512话 16 | +--^--+-+--+--^--+-+--+--^--+-+--+--^--+-+--+--^-- +-+--+--^--+-+--+--^--+-+--+--^--+-+--+ | | | | | | | | | | | | | | | | +----+ +----+ +----+ +----+ +----+ +----+ +----+ +----+
独立布局：
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仅分析备用区域时，我可以看到前 3 个字节似乎在增加。我认为前两个字节是块号，我相信第三个字节是页码。在“页码”值0x3F重置后0x00，“块号”增加。我对剩余的 13 个字节一无所知，但我假设有些（如果不是全部）是 ECC 字节。
问题是有些块在转储中多次出现。例如，“块号”有三个部分，0x2C47我知道这可能是因为 NAND 的磨损均衡；但是，我不知道如何读取好的页面/块，以便我可以安装/提取它。它似乎没有标准，相信我 - 我已经搜索了很多哈哈。系统正在运行 QNX6。