学究起来，闪存只是 EEPROM 的一种形式：这里有营销/品牌方面的问题。通常，今天使用的区别是 EEPROM 是单字节（或存储字）可擦除/可重写的，而 FLASH 是基于块的擦除/写入操作。

与问题相关：

• 由于最大擦除/写入周期额定值比闪存高一个或两个数量级，因此 EEPROM 继续流行
• 由于设计投资通常随着时间的推移而摊销，与任何成熟技术一样，与新技术相比，生产和测试成本降低。

大多数 EEPROM 可以处理的写周期数通常远远超过大多数闪存可以处理的写周期数。

EEPROMS 通常可以处理每个单元约 100,000-1,000,000 次写入。
闪存的额定写入次数通常约为 1,000-100,000 次（根据闪存的类型而有很大差异）。

与闪存相比，EEPROM 的另一个优势是闪存通常必须以块的形式擦除，因此如果您的写入模式涉及连续的单字节写入，那么您将在闪存上使用更多的写入周期，而不是使用等效的 EEPROM，如 EEPROM内存通常可以按字节擦除，而不是闪存使用的按块擦除周期。

基本上，闪存通常以约 64-512 KB 的块被擦除。因此，对于该块中任何位置的每次写入，控制器都必须擦除整个块，使用整个块的写入周期。您可以看到，如果您按顺序对块中的每个地址执行单字节写入，您最终会对整个块执行 64K 到 512K 之间的任何写入，这很容易使用闪存的整个写入耐久性。

因此，EEPROM 通常用于本地处理器较小且无法缓冲对每个闪存页面的写入的情况。

随着闪存技术的进步，其中很多都变得不那么真实了。有些闪存 IC 包含本地写入缓冲功能，并且闪存的写入寿命急剧增加。