这篇 2013 年的文章分析了几种 DRAM 芯片的保留时间。在相关信息中，可以列出以下内容：

• 保留时间取决于很多因素，包括相邻位的值。DRAM 位是一个势阱，它会通过将电荷移入或移入相邻区域而丢失其内容，因此这些相邻区域是否有空间很重要。

• 温度对于保留时间非常重要（这就是冷启动攻击坚持冷的原因：如果您将机器放入液氮中，您可以将电荷保持在原位更长的时间）。

• 在室温下，典型的保留时间以毫秒计，最多几秒，更重要的是，放电本质上是指数型的（对于某些恒定C ，它以e ^{- Ct}为单位），正如预期的那样（电容器也可以工作那样）。所以2分钟后的剩余电量将是1分钟后的一半；10 分钟后，您的电量降至初始电量的千分之一；20分钟后，百万分之一；30分钟后，十亿分之一。

总结一下：24小时……算了。在室温下 24 小时后（即使房间在加拿大），你不会在 DRAM 中找到有意义的数据。

这适用于DRAM，其中存储的位可以设想为充电电容器。这是过去 20 年来 PC 中常见的那种 RAM。

还存在SRAM，其中每个位都存储为由 6 个晶体管组成的双稳态电路的当前状态。SRAM 比 DRAM 快得多；它也贵得多。在 PC 中，SRAM 用于缓存（通常集成在 CPU 中）。如果没有电源，SRAM 会在几微秒内丢失其内容的任何痕迹。

当相同的值长时间存储在芯片的特定位置时，有一些关于位被“烧录”到 RAM 中的故事。据我所知，这些故事就是：故事。它们来自“类比思维”，人们对 RAM 的看法与对 CRT 显示器的看法相同（这可能具有“老化”效果，因此开发了“屏幕保护程序”）。我不知道有任何此类故事得到证实的案例。

但恐惧和怀疑是强大的力量，不可能总是被最强大的逻辑驱散。

有些机制可能导致 DRAM 中的数据剩余超过存储在栅极中的电荷（通常在几秒钟内消失，尤其是在正常升高的工作温度下）。一种是离子污染物的移动，它会导致阈值的轻微变化。这可能是汤姆的答案所指的“烧伤”。可能没有任何实用的方法来恢复数据，但我认为我们不能立即排除这种可能性。

这里有一张纸。半导体器件中的数据剩磁 Peter Gutmann IBM TJWatson 研究中心

从理论上讲，任何设备都可以存储任何东西，因为它被指定为满足接口，而不是为它的实现指定。现实地说，答案更加模糊。顺便说一句，这就是 SSD 变得如此有趣的地方，因为没有公认的方法来告诉 SATA SSD “擦除所有内容”（编辑：至少没有可靠的方法）

据我了解，对于任何机密硬件，都有“解密说明”来在不再需要硬件后对其进行解密。这些通常以供应商的信件形式出现，说明在供应商认为数据不可恢复之前必须采取哪些操作。对于许多设备来说，这以“断电 X 秒”的形式出现，表明政府认为内存不稳定到足以保证特殊处理的时间范围。长期以来，硬盘驱动器的过程是运行特定系列的擦除，但这个过程非常残酷，很少有硬盘驱动器幸存下来，因此它们通常只是被销毁。

人们可能选择销毁硬件而不是解密硬件的原因之一是，从供应商处获取这些信件的成本与产品价值相比太高了。如果服务器场的 RAM 价值在折旧后预计仅值 1000 美元，那么在完成后将其扔进木材削片机可能会更便宜。

最后的细节：你的产品有多有价值？如果它的价值仅为 1000 万美元，你会发现在室温下拔掉内存一两分钟就足够了。如果它的价值数千亿，您可能要考虑木材削片机。如果它超出了金钱成本，那么它就是你的威胁模型。做你认为合适的事。

不。尽管英国可能有所不同，但美国似乎可以通过简单的断电来清理机密系统中的 RAM。NSA/CSS 政策手册 9-12 指出：

通过移除电源（包括备用电池）来清理 DRAM（动态随机存取存储器）、SRAM（静态随机存取存储器）和易失性 FPGA。断电后，立即进行消毒。

在此处查看固态存储部分。