在基于 Yee 单元网格的基于有限差分 (FD) 的电磁公式中，可以定义电流源激励 ($J$) 在$E$场网格点。在远处，由这些激发（在自由空间中）产生的场与解析赫兹偶极子（极薄）的场非常匹配。赫兹偶极子具有恒定电流$I$在它的小长度上$l$，但由于它非常薄，因此其有效电流面积密度$J = \frac{I}{dxdy} = \infty$，因此场在原点是奇异的，并且与 FD 公式中的“真实”电流的场不匹配（这有点像电流的立方体而不是线，因此具有有限$J$和有限的$E$任何地方，包括近场）靠近源。如果我的系统中有多个位于不同位置的这些源，我可以通过整合数量来计算每个单独的辐射功率$J\cdot E$在封闭每个来源的小体积上。

在积分方程 (IE) 公式中，不是直接指定电流激励，而是仅指定入射场，并计算介电/导电表面和散射场上的相应电流。如何使用 IE 公式（如 FD 方法）实现与有限维度的电流激励相同的效果？

我想我可以使用来自解析赫兹偶极子的闭合形式场作为入射波源并计算散射场，但是，这与 FD 公式中的有限电流“立方体”的结果不同。是否有任何直接的方法可以在表面积分方程公式中定义具有有限电流密度 J（或至少表面电流密度）的电流激发？此外，当使用 IE 方法时，您将如何计算每个源的入射功率？