回到更新世（1960 年代或更早），逻辑是用双极晶体管实现的。更具体地说，它们是 NPN，因为出于某些我不打算讨论的原因，NPN 更快。当时有人认为正电源电压称为 Vcc 是有道理的，其中“c”代表集电极。有时（但不太常见）负电源被称为 Vee，其中“e”代表发射器。

当 FET 逻辑出现时，使用了相同的命名方式，但现在正电源为 Vdd（漏极）和负 Vss（源极）。对于 CMOS，这是没有意义的，但它仍然存在。请注意，CMOS 中的“C”代表“互补”。这意味着 N 和 P 通道设备的使用数量大致相同。CMOS 反相器只是最简单形式的 P 沟道和 N 沟道 MOSFET。在 N 和 P 沟道器件数量大致相等的情况下，漏极不会比源极更可能是正的，反之亦然。但是，由于历史原因，Vdd 和 Vss 名称一直存在。从技术上讲，Vcc/Vee 用于双极，Vdd/Vss 用于 FET，但实际上今天 Vcc 和 Vdd 的含义相同，Vee 和 Vss 的含义相同。

我想我可能有明确的答案。此命名来自 1963 年 IEEE 标准 255-1963“半导体设备的字母符号”（IEEE Std 255-1963）。我是一个电子历史狂热者，这可能对其他（狂热者）来说很有趣，所以我会让这个答案比必要的更广泛。

首先，第一个大写字母 V 来自标准的 1.1.1 和 1.1.2 段落，它们定义了 v 和 V 是描述电压的数量符号；小写表示瞬时电压 (1.1.1)，大写表示最大、平均或 RMS 电压 (1.1.2)。供你参考：

第 1.2 段开始定义数量符号的下标。大写下标表示直流值，小写表示交流值。电源电压显然是直流电压，所以它们的字母必须大写。

该标准定义了 11 个后缀（字母）。这些是：

• E, e 为发射器
• B, b 为基础
• C, c 代表收集器
• J, j 为通用半导体器件端子
• A、a为阳极
• K, k 代表Kathode
• G, g 为门
• X, x 表示电路中的通用节点
• M, m 为最大值
• 最小值，最小值为最小值
• (AV) 平均

该标准早于 MOS 晶体管（于 1963 年 8 月获得专利），因此没有 Source 和 Drain 的字母。此后，它已被定义 Drain 和 Source 字母的更新标准所取代，但我没有该标准可用。

该标准的进一步细微差别定义了有关如何编写符号的进一步规则，这使阅读变得引人入胜。令人惊讶的是，这一切如何成为常识，即使没有规范性参考，现在也被悄悄地接受和理解。

第 1.3 段定义了如何编写下标，尤其是当有多个下标时。请阅读标准的文字：

因此，例如 V _bE表示半导体器件基极电压的交流分量（小写 b）的 RMS 值（大写 V）相对于半导体器件发射极电压的直流值（大写 E ）。

在所述半导体的发射极直接接地的情况下，这当然被理解为已知的参考，那么基极处的AC RMS电压为V _b。基极的 DC 或 RMS 电压为 V _B，基极的瞬时电压为 v _b。

现在获得额外的功劳：为什么用 V _CC而不是 V _C或 V _DD而不是 V _D？我曾经认为它是“从收集器到收集器的电压”的口语，但显然它也在标准中定义也就不足为奇了：

因此，V _CCB是指半导体器件集电极上相对于器件基极的直流电源电压，而 V _CC是指集电极上相对于地的直流电源电压。

乍一看，下标的重复似乎会导致歧义，但实际上并非如此。首先，看起来模棱两可的案例非常少见；读取 V _CC表示从设备的集电极到同一设备的集电极的电压明显为零，因此没有必要描述它。但是如果设备有两个底座会发生什么？标准给出了答案。从器件的基极 1 到器件的基极 2 的电压写为 V _B1-B2。并且从设备 1 的基极到设备 2 的基极的电压（注意这里 - 这很有趣）写成 V _1B-2B。

一个问题仍然存在：CMOS 电路的神秘案例。正如其他答案中已经指出的那样，命名标准似乎不适用于 CMOS 电路。对于这个问题，我只能提供一个源于我在一家半导体公司工作这一事实的见解。_{（此处应为“哇”。）}

事实上，在 CMOS 中，正负轨都连接到 N 和 P 通道源 - 几乎无法想象以任何其他方式进行 - 标准栅极中的阈值电压会变得模棱两可，我什至不想考虑保护结构...所以我只能提供这个：我们已经习惯在 NMOS 电路中看到 V _DD（Greetz to @supercat，上轨电阻器确实通常是晶体管 - 对于那些感兴趣的人，请参阅 1983 年的优秀书籍“ MOS LSI 设计介绍》)，V _SS对于 NMOS 和 CMOS 都是相同的。因此，我们使用除 V _DD和 V _SS（或 V _GND ）以外的任何其他术语都是荒谬的) 在我们的数据表中。我们的客户已经习惯了这些术语，他们对 esoterica 不感兴趣，但对让他们的设计运行感兴趣，所以即使尝试引入 V _{SS POSITIVE}或 V _{SS NEGATIVE}之类的概念也是完全荒谬和适得其反的。

所以我不得不说，V _CC是双极电路的电源电压，而 V _DD是 MOS 电路的电源电压，这只是普遍接受的，这源于历史。类似地，V _EE是双极电路的负电源电压（通常是接地），而 V _SS是 MOS 电路的负电源电压。

如果有人可以对讨论的最后一点提供规范性参考，我将不胜感激！

您已经从其他答案中知道对于双极

C指集电极，
E指发射极。

同样，对于 CMOS

D指漏极，
S指源极。

对于像 TTL 这样的双极逻辑，这是正确的；即使对于推挽输出（“图腾柱”），也只使用 NPN 晶体管，并且$V_{CC}$确实与收藏家有关。
但是对于 CMOS$V_{DD}$实际上是用词不当。CMOS 比 TTL 对称得多，而 N-MOSFET 的源极连接到$V_{SS}$不是这样的$V_{DD}$连接到排水管。

由于对称性，它实际上连接到P-MOSFET的源极。这可能是从 CMOS 的前身 NMOS 继承而来的，其中$V_{DD}$确实是漏极的一侧（中间有一个电阻器）。

为什么是 V _DD而不仅仅是 V _D？

电压字母 V _AB的约定表示 A 和 B 之间的电位。电压是相对于电路中另一点测量的电位。例如，V _BE是基极和发射极之间的电压。地面没有特定的“字母”。因此使用了重复字母的约定，例如 V _DD或 V _EE来指代相对于地的点。在这种情况下使用单个字母会增加更多的混淆，因为 Vs 可能指的是源“s”的电压（如果有多个串联源等，它可能与 VSS 不同_）而不是晶体管发射极之间的电压 &地面。

即使电路中没有晶体管，电压也可以用 V _AB或 V ₁₂表示，以反映 A 和 B 或点 1 和点 2 之间的电势。显然顺序很重要，因为对于电路 A 和 B 中的两个点， V _BA = -V _AB。

参考书目：“如果重复相同的字母，则表示电源电压：Vcc 是与集电极相关的（正）电源电压，Vee 是与发射极相关的（负）电源电压”。Paul Horowitz 和 Winfield Hill（1989 年）的文本摘要，电子艺术（第二版），剑桥大学出版社，ISBN 978-0-521-37095-0。第 2 章 - 晶体管，第 62 页，简介。