为了解决这个问题，首先需要区分磷光体 LED ^(#1)（例如白色 LED，可能还有一些绿色 LED）和直接发射 LED（例如大多数可见色 LED、IR 和 UV LED）。

直接发射 LED 通常具有个位数纳秒的开启时间，对于更大的 LED，开启时间更长。这些的关闭时间在几十纳秒内，比开启要慢一点。由于前面给出的原因，IR LED 通常显示最快的转换时间。

可提供特殊用途的 LED，其结和键合线几何形状经过专门设计，可允许800 皮秒至 2 纳秒的脉冲。对于更短的脉冲，特殊用途的激光二极管（在许多方面与 LED 操作相似）可以一直工作到50 皮秒脉冲。

正如@ConnorWolf 在评论中指出的那样，还有一系列具有专门光束整形的 LED 产品，其脉冲宽度为500 到 1000 皮秒。

荧光粉型 LED 的开启和关闭时间在数十到数百纳秒之间，比直接发射 LED 慢很多。

LED 快速切换的主要因素不仅仅是 LED 固有的发射转换时间：

• 走线的电感会导致较长的上升和下降时间。更长的轨迹 = 更慢的转换。
• LED 本身的结电容是一个因素^（#2）。例如，这些 5mm 通孔 LED的结电容标称值为 50 pF。较小的结（例如 0602 SMD LED）具有相应较低的结电容，并且在任何情况下更可能用于屏幕背光。
• 寄生电容（走线和支持电路）在增加 RC 时间常数并因此减慢转换方面起着重要作用。
• 典型的 LED 驱动拓扑（例如低侧 MOSFET 开关）在关闭时不会主动拉低 LED 两端的电压，因此关闭时间通常比开启时间慢。
• 由于上述电感和电容因素，LED 的正向电压越高，上升和下降时间越长，因为电源必须更难以​​驱动电流来克服这些因素。因此，具有通常最低正向电压的 IR LED 转换速度最快。

因此，在实践中，实施设计的限制时间常数可以是数百纳秒。这主要是由于外部因素，即驱动电路。相比之下，LED 结的转换时间要短得多。

要了解驱动电路设计相对于 LED 本身的主导地位，请参阅最近的美国政府 RFI（2013 年 4 月），寻求能够保证 LED 开关时间在20 纳秒范围内的电路设计。

备注：

#1： 磷光体型 LED 具有底层发光结，通常在远蓝色或紫外范围内，然后激发磷光体涂层。结果是多个发射波长的组合，因此比直接发射 LED 更宽的波长光谱，这被视为近似白色（对于白色 LED）。

这种二次磷光体发射的开启或关闭比结转换慢得多。此外，在关断时，大多数荧光粉都有一条长尾，这会进一步扭曲关断时间。

#2： 结几何形状显着影响结电容。因此，为制造专门设计用于 MHz 范围内的高速信号的 LED 采取了类似的步骤，就像用于高频开关二极管设计一样。电容受耗尽层厚度和结面积的影响。材料选择（GaAsP v/s GaP 等）也会影响结处的载流子迁移率，从而改变“切换时间”。

您可能正在寻找的是辐射复合时间：当通过发射光子进行复合时，空穴和电子通常需要的时间，这是一个随机过程，因此可能需要任何时间。从工程师的角度来看，在克服电阻、电感和电容等电气效应（包括 LED、其包装，和你的驱动电路。

仅凭这些信息，您可能仍然会误会这样一个事实，即总体复合时间和辐射复合时间在半导体中差异很大，最明显的是具有间接带隙的半导体（通常只制造效率非常低的 LED，如硅) 和具有直接带隙的那些（通常用于 LED）。还要注意对波长的依赖性。

虽然我没有准备好数字，但光电子学的数量级应该是纳秒。根据RP Photonics Encyclopedia，当优化用作激光器（基本上是针对光学反馈优化的 LED 内镜）时，复合时间或上态寿命通常为几纳秒。我的猜测是常规 LED 不会超过该值，但也许除非特别优化，否则也不会更快。