我想知道既然我们有三维晶体管，为什么我们不制造诸如具有 1000 多个堆叠层的 CPU 之类的处理器以利用三维空间中的空间。为了清楚起见，我指的是制作一个矩形棱柱形处理器。
需要明确的是，在处理器制造方面我不知道有很多东西，我不是电气或计算机工程师，但我很好奇。我知道考虑到更密集的晶体管封装和制造问题，这将导致加热问题，考虑到您必须激光蚀刻如此多的硅，但与扩大宽度和高度尺寸不同，不会有问题充分利用圆形硅晶片，与您不同的是，您将零件保持得很近，这意味着它不会减慢从处理器的一个部分到另一个部分的电流速度，因为处理器已经有 1000 秒水平和垂直堆叠的晶体管。
我很好奇你是否可以通过铺设薄的间歇散热层来解决加热问题，同时保持垂直吞吐量。并通过每 10 层左右使用单独蚀刻的晶圆来部分解决制造问题。这是可能的还是有很多我没有想到的问题（我确定有）？谢谢。
两个致命的原因是产量和热量。
屈服。每次您执行一个流程步骤时，您都不会获得 100% 的完美。假设您每一步都能获得 99% 的完美。在一个有 20 个步骤的过程中，您将下降到 82%。在一个有 1000 个步骤的过程中，每开始一百万个晶圆，您将下降到 43 ppm，43 个成功构建。
热。我们现有的设计已经受到我们从模具底部提取热量的速度的限制。因此，无论是产生更多热量的机会，还是在远离热量散发的地方产生热量的机会，对我们来说都没有任何真正的用处。
那些说，有一些设备构建到第三维，将几个成品晶圆粘合在一起，这缓解了产量问题。那些堆叠的晶圆往往是内存，它不使用 CPU 的功率之类的东西，从而缓解了热量问题。
散热是个问题。
已经有一些芯片具有比核反应堆更高的能量密度。
考虑一个吹风机---- 1,500 瓦，带有一个鼓风机来冷却钨线圈。线圈发出暗红色的光。
在底层制造晶体管要容易得多，因为传统结构涉及“n阱”或“p阱”结构。
另外：平面化。
底部“基板”层被机械抛光至非常高的平整度。顶部的后续层被蚀刻和沉积，但每次都不够完美。存在错误叠加的风险，导致特征无法在表面的“块”上正确对齐。
但是你会从中得到什么？