由于定律，要在较低电压下获得相同的功率，您需要增加电流。$P = U * I$

在电阻元件中，如电线、PCB 走线、变压器线（绿色），损耗增加为电流的平方，因为。$P(loss) = R * I ^ 2$

在开关元件和其他二极管/整流器中，（绿色）损耗等于 I。无论电压输入如何，V 都绑定到组件，例如整流器的 ~1V。$P(loss) = V(bandgap) * I$

随着电流（以及电磁场）的增加，任何磁芯中的涡流损耗（红色）也会增加。

与电容器泄漏有关的损失可以忽略不计。

正如Oskar Skog 提出的，功率因数校正器 (PFC) 是主要嫌疑人。

PFC 通常是一个精确控制的升压转换器，可将脉动整流电源转换为 350-400 V。升压转换器的效率取决于输入和输出电压之间的差异 - 输入越多，转换的次数就越少.

如果有人要构建一个仅适用于 115V 的电源，那么实现与仅适用于 230V 的电源相同的效率是否更难？

一般来说，制造一个接受更广泛输入范围的 PSU 更难，并且会导致对其他参数（例如，效率、重量、价格）的更多妥协。

在较小程度上，使用现代组件并在计算机 PSU 的功率范围内，仅使用 230 V 输入比仅使用 115 V 输入更容易且效率更高。

我很惊讶没有人提到半导体结上的正向电压降。对于硅 pn 结，大约为 0.65 伏。

我不了解这些天开关模式电源的确切工作方式。他们过去常常使用桥式整流器将交流电源转换为高直流电压。在 110V 电压下，这种桥式整流器会损失 1.3 伏（每个导电二极管两端的电压为 0.65V），或略高于 1%。在 230V 上，略高于 0.5%。

后续组件还会有进一步的损失。在可能的情况下，功率 FET 优于双极晶体管，因为它们之间的不可降低的电压降较小。