我不能谈论 FRAM（铁电存储器），但是任何使用浮栅来存储电荷的技术——任何形式的 EPROM，包括 EEPROM 和闪存——都依赖于电子“隧道”通过非常薄的绝缘氧化硅屏障来改变栅极上的电荷量。

问题是氧化物阻挡层并不完美——因为它“生长”在硅芯片的顶部，它包含一定数量的晶粒边界形式的缺陷。这些边界倾向于或多或少永久地“捕获”隧穿电子，并且来自这些捕获电子的场会干扰隧穿电流。最终，足够的电荷被捕获以使单元不可写。

捕获机制非常缓慢，但足以为设备提供有限数量的写入周期。显然，制造商引用的数字是在许多设备上测量的统计平均值（用安全裕度填充）。