如果您乐于使用这么小的数据存储单元，那么 UV-EPROM 将很容易腐烂。它们仍然可用，在线拍卖网站有它们，而且价格也不高。即使是 4 Mbit 的 27C400，也只有几磅。

当然，它们不存储“文件”，只存储原始数据，因此您需要某种形式的外部存储控制器。也许使用 Arduino 来解决它，并将其数据表示为文件。FWIW，一些 CircuitPython 模块可以作为 USB 存储器读取，因此可以从 EPROM 读取数据并将文件写入代表它的本地存储区域。

当我在职业生涯的早期第一次遇到 UV-EPROMS 时，比我想记得的更早的几十年前，我担心推荐的写入和擦除时间，所以编程了一个，然后反复验证它，两次验证之间的橡皮擦一分钟. 第一个比特需要几分钟才能退出，然后大部分时间在 5 到 10 分钟之间，需要超过 15 分钟才能擦除最后一个比特。范围很广。

Neil_UK 的回答让我想起了使用更常用组件的类似方法。如果您正在构建一个直接与存储设备接口的系统，您不妨只使用 SRAM，在其中填充数据，然后逐渐将其电源电压降低到建议的最小值以下。与 EPROM 相比（除了组件的可用性）的优势在于它的速度要快得多，因此您可以非常快速地进行更多的实验，以找出对您最有用的电压。

我曾经将它与配备内部 RAM 的微控制器一起使用，该微控制器必须检测断电，然后在板上的电容器低到足以导致 RAM 损坏之前将一些数据保存到非易失性存储器中。我并没有明确研究“记忆腐烂”本身（我只对它是否发生感兴趣），但我确实注意到，如果我花太多时间，损坏似乎是相当随机的。

读取文件，根据您想要的错误分布曲线和概率随机翻转或设置位，然后将损坏的文件写回。

闪光灯在较高温度下会更快地失去电荷。但是，在一周之内，您可能无法在闪存（顺便说一下，对于硬盘驱动器的磁化）不燃烧的温度下触发“腐烂”，所以......

所以，你必须走不同的路线。正如 Justme 所说，你必须强调你的媒介。

这里的经典重音是写作重音。一个明智的测试将：

1. 使用伪随机数生成器 (PRNG)（例如 xoroshiro128+，或者实际上，任何需要种子的东西）和随机种子\$a\$。
2. 用\$a\$播种你的 PRNG 。
3. 启动计时器。
4. 生成随机数据的块大小倍数（例如 4 MB）并将其直接写入您的存储设备（不是通过文件系统，而是写入原始设备）。在写东西的时候，准备下一个随机数据块（操作系统倾向于缓冲东西，这样你就可以在写的时候继续工作）
5. 重复 4. 直到你的棍子满了。
6. 关闭设备并刷新缓冲区以粘贴（例如，这取决于操作系统，并且在 Linux 上比在 Windows 上更容易）。记下计时器上的时间，并将其用作平均写入速度。
7. 用 $a$ 播种你的 PRNG。
8. 启动计时器。
9. 从您的设备中读取一个块倍数（例如 4MB）的数据。
10. 使用您的 PRNG 生成一个随机数，与设备读取的数据进行比较。
11. 重复第 10 步，直到检查完整个块。累积误码计数。
12. 重复 10. – 11. 直到您阅读了整个设备。
13. 关闭设备。
14. 记下时间，并将其用作平均阅读时间。记下位错误的数量。
15. 选择一个新的 \$a\$
16. 回到 2。

根据您设备的质量、您的运气和您可以写入的速度，您应该会看到错误率增加（即内存单元腐烂！）和读取速度降低。

读取速度降低主要源于所有现代大容量存储器都采用内部校验和/或纠错码这一事实。如果他们检测到一个损坏的记忆字，纠错就会启动。解码错误的字需要时间，而且代码字越损坏，涉及的越多。

残酷的事实是，在现代内存密度下，物理学对任何人都不好，随机位翻转会发生。这还不错——这就是我们拥有现代信道编码/纠错码的原因（它们是同一回事）。即使是一个全新的存储介质也会有一些位错误，但用户永远不会（或者，准确地说，有低于用户将能够忽略的某个阈值的概率）受到它们的影响，因为能够纠正这种物理学的必然性是内在的。

通过反复写入，您正在降低存储介质的物理质量，超过一周的时间可以做到。这只会使这些物理位错误（您看不到）的数量更高。如果一切顺利，存储控制器仍然能够纠正这些问题——但它需要计算更多，因此需要更多时间，因此读取速度会更慢。您可能会遇到比解码器无法纠正的错误更多的情况——然后您实际上会看到一些错误。

实际上，测量这些并不是很简单，因为您将诚实地测量纠错存储介质的误码率与未纠错的 RAM 的误码率（除非您使用 ECC RAM）。这就是第 10 步生成少量随机数据的原因：这些数据将保留在 CPU 缓存中，并且希望不会被写入外部 RAM，后者往往具有更高的错误率。如果您只是生成了整根棒子的数据并将其写入 RAM，然后进行比较，那么您检查 RAM 的次数会多于检查存储介质的次数。