从驱动器到大门，电线约为 15 厘米。这会导致流泪吗？

几乎可以肯定，可以肯定的是，这会通过以下一种或多种机制破坏您的 MOSFET：

1. 即使在最短暂的瞬间也超过 \$V_{G(max)}\$
2. 超过 \$V_{DS(max)}\$
3. 由于缓慢的开关和意外导通而导致的简单过热

#3 发生时应该很明显，但其他两个可能很难看到，因为它们是瞬态条件，可能太短暂而无法在示波器上看到。

C2 和 C3 没有减少振铃。因为 MOSFET 栅极（以及添加到其中的 C2、C3）的电容加上通过驱动器和 MOSFET 栅极-源极的导线环路形成的电感，所以栅极上会响起LC 电路。振铃是由该电容和电感之间的能量反弹引起的。

您应该将驱动器放在尽可能靠近 MOSFET 的位置。1cm已经太长了。到栅极的长走线产生的电感不仅会导致振铃，而且还会限制您的开关速度，这意味着晶体管的损耗更大。这是因为电流的变化率受电感的限制：

$$ \frac{v}{L} = \frac{di}{dt} $$

由于 \$v\$ 是栅极驱动器提供的电压，并且您无法将其做得更大，因此将电流从零增加到某物所需的时间受到电感 \$L\$ 的限制。您希望电流尽可能快，以便您可以快速切换该晶体管。

除了将栅极驱动器靠近 MOSFET 之外，您还希望最小化通过栅极的电流必须采用的路径的环路面积：

^{模拟此电路- 使用CircuitLab创建的原理图}

电感与所示面积成正比。

电感限制了开关速度，也限制了栅极驱动器保持 MOSFET 关断的能力。随着刚刚关闭的 MOSFET 上的漏极电压发生变化（由于另一个 MOSFET 开启，以及线圈的互感），栅极驱动器必须提供或吸收电流作为 MOSFET 充电或放电的内部电容。这是来自International Rectifier - Power MOSFET Basics的插图：

在您的情况下，如果栅极走线很长，则 \$R_G\$ 也是一个电感器。由于电感限制了\$di/dt\$，栅极驱动器只能如此快速地响应这些电流，然后栅极走线电感和MOSFET电容之间的谐振会出现明显的振铃和过冲。你的 C2 和 C3 只是用来改变这个共振的频率。

当栅极电压响起时，它有时会跨越你的 MOSFET 的 \$V_{th}\$，当它应该关闭时，它会开始导通一点。这会改变与另一个电感耦合的连接电感的电流和电压，从而在另一个 MOSFET 中引入这些电容电流，这只会加剧问题。但是，当线圈没有通电时，无论晶体管开关如何，漏极电压都为 0V，并且这些电容电流（因此，必须移动以切换晶体管的总栅极电荷）要少得多，所以你看到更少的铃声。

该电感也可以与其他电感磁耦合，例如您的螺线管线圈。随着通过环路的磁通量发生变化，会感应出电压（法拉第感应定律）。最小化电感，你就会最小化这个电压。

摆脱 C2 和 C3。如果您在改进布局后仍需要减少振铃，请在栅极和栅极驱动器之间添加一个与栅极串联的电阻器。这将吸收引起振铃的反弹能量。当然，它也会限制栅极电流，从而限制您的开关速度，因此您不希望该电阻大于绝对必要的值。

您还可以使用二极管或晶体管绕过添加的电阻器，以允许关闭比开启更快。因此，这些选项之一（但仅在必要时；最好简单地消除振铃的来源）：

^{模拟这个电路}

尤其是在 Q3 的最后一种情况下，您基本上实现了一半的栅极驱动器，因此保持走线短和环路面积小的相同问题适用。

要将 FET 漏极上的电压正确钳位到一个合理的值，请考虑以下几点： -

两个线圈的自然操作（如果两个半线圈之间存在任何显着的磁耦合）是在交替循环中在每个漏极上产生两倍的电源电压。

这就像一个中点（Vs）不动的跷跷板。拉下一半，另一半通过变压器作用上升。

这自然意味着 FET 的额定值必须至少是电源电压的两倍，否则事情会被炸毁。因为耦合并不完美，所以齐纳二极管将捕获超过两倍 Vsupply 的任何东西。

建议- 选择额定为 3 倍电源电压的 FET 和额定电源电压的齐纳二极管。至少 5W 齐纳二极管。完全摆脱 330nF 电容器 - 如果您认为这会以某种方式调整发射的磁场，请再想一想，因为它只会用电流脉冲杀死 FET。也许 1nF 几乎是宜居的。使所有连接尽可能短——电线中的杂散电感也可能是一个杀手，至少会产生那些特殊的栅极振铃电压，尽管这些很可能是由驱动能力不足的 FET 栅极驱动器引起的——实际上是电压漏极通过内部寄生电容耦合回栅极，并防止干净的开启和关闭。

我认为问题可能出在栅极驱动中。栅极驱动中没有死区，允许一个 fet 关闭而另一个打开，这会导致高直通电流。您可能必须使用两个具有一定死区时间的栅极驱动信号。1开，1关，等x次，2开，2关，等x次。