晶圆在制造过程中非常敏感，因为如果在任何工艺步骤之间有任何灰尘或污垢颗粒沉积在其上，那么后续工艺步骤将在受污染的地方失败。

一旦制造完成，芯片接收到最后一层，灰尘就不会再打扰它了。

我敢猜测，带有散热盖的台式机 CPU 将接受适当的表面处理，以应用所选的导热膏。

其他答案没有提到的一点是，不仅芯片本身对灰尘如此敏感。它也是用于在工艺的每个阶段印刷抗蚀剂层的光刻板。

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令人难以置信的先进光学器件用于将光通过这些本质上的“负片”投射到晶片上的抗蚀剂层上。这些底片比实际特征大几倍，有助于减少印版中误差的影响，但特征尺寸仅大 4-5 倍左右。紫外光通过它们显示，并聚焦到适当的尺寸，以适当的分辨率曝光抗蚀剂。随着当前工艺技术达到 10nm，这些光刻板必须“完美”，因为它们依靠衍射技术来打印比所用光波长小很多倍的特征。如果在其中一个印版上沾上灰尘，它将毁掉随后印有该光刻印版该区域的每个芯片。

钝化层是最后一步，不包括大气。该层是通过将晶片暴露于高温氧气（低生长速率）或蒸汽（高生长速率）中形成的。结果是二氧化硅，厚度为 1,000 埃。

集成电路的边缘通常通过“密封环”保护免受离子侵入，其中金属和植入物逐渐变细至纯硅衬底。但小心点; 密封环是沿着IC边缘的导电路径，因此允许沿着IC边缘传输干扰。

对于成功的片上系统，您需要在硅原型设计的早期评估破坏密封，这样您就可以了解隔离性能的下降和对本底噪声的损害，这是由于确定性噪声被公然传导到芯片中而引起的。 IC的敏感区域。如果密封环在每个时钟边沿注入 2 毫伏的垃圾，您能否期望达到 100 纳伏的性能？哦，对了，平均可以克服所有的弊端。

编辑删除一些精密匹配的集成电路将改变施加在硅上的机械应力，以及其上的众多晶体管、电阻器、电容器；应力的变化会改变硅沿晶轴的微小变形并改变压电响应，从而永久改变其他匹配结构中的潜在电误差源。为了避免这种错误，一些制造商使用增强功能（额外的晶体管、额外的掺杂层等）来添加使用时修剪的行为；在这种情况下，在每次上电事件时，集成电路都会自动运行校准序列。

正如@WhatRoughBeast 在评论中正确指出的那样，放置在 PCB 上的 CPU 裸片没有暴露任何精细结构，这些结构位于裸片的另一侧。甚至还有一些不带盖子的低成本 CPU，比如这个：

如果你仔细观察，你会发现 CPU 不仅没有受到灰尘和导热膏的影响，而且还有一些划痕和角部破裂，这显然意味着芯片的这一面没有什么重要的东西。