我很难回答关于我们实验的一个特定问题。在我们的实验中,R1 和 R2 分别设置为 1Meg,后来设置为 10k...我了解 R1 和 R2 的必要性。如果没有 R1 和 R2,则 D1 和 D2 的电压共享不会完全为 50-50,因为没有两个二极管是完全相同的。D1 和 D2 将具有相同的泄漏电流(没有 R1 和 R2),因为它们只是串联。但是,它们可能具有不同的 IV 曲线,因此这种特定的泄漏电流将导致 V@D1 /= V@D2。
我遇到的问题是,为什么当 R1 = R2 = 1Meg 时 V@R1 + V@R2 /= 10v?...另一方面,当 R1 = 时,这两个电压加起来(为 10v) R2 = 10k...为了完整起见,我在图表中包含了 60 欧姆的源电阻。然而,正如我所看到的,D1 和 D2 都是反向偏置的,因此它们提供了一个非常大的(反向电阻),应该比 60 欧姆大得多。即使1Meg和D1反向电阻并联组合,应该还是比60欧大很多。我尝试根据 RD1reverse//R1 = Req1 和 RD2reverse//R2 = Req2 来考虑答案。Req1 + Req2(系列)应该仍然远远超过 60 欧姆,我认为 10v 应该仍然出现在 D1 阴极的节点上。然而在我们的实验中,V@R1 + V@R1 < 10v。
如果我以错误的方式思考这个问题,谁能指出我?一些提示/第一步提示将不胜感激
编辑:感谢@CL回答问题。为简单起见,假设 D1 和 D2 在反向偏置期间打开,并注意 Rmultimeter = 10Meg,V@R2(万用表上显示)= 10v * (1Meg//10Meg)/((1Meg//10Meg)+1Meg+60) = 4.76 v 测量。