我在看PCIE规范,我不明白对耦合电容器的要求。对于 2.5GT/s,标准要求 AC 耦合电容为 75nF 至 265nF。我试图分析高速数字设计在线通讯中的这篇文章中的数字。线路两端端接,电容面向100Ω,RC时间常数为7.5µs至26.5µs,即19000至66000位间隔。由于我们使用的是 8b/10b 编码,并且一行最多有 3 个 1 或 0,因此 RC 时间常数只需要比 3 位间隔大,因此电容比 12pF 大即可。至少 75nF 的要求似乎是不必要的大。这是为什么?如果允许电容在 100pF 左右,甚至可以将电容器制成芯片。
可以在 此处找到对耦合电容器的要求,第 357 页,第 4.3.13 节。