为简单起见，以下假设为 NMOS。另请注意，我描述的是电流可以流动的方向，而不是流动的方向。它将以哪种方式流动取决于电路所连接的电压。

单个 MOSFET 有两种状态：ON 和 OFF。

ON：电流可以双向流动

关：电流可以流向一个方向（源极-漏极，由于体二极管）而不是另一个方向（漏极-源极，因为 FET 关闭）

与二极管串联的单个 MOSFET：

也有两种状态，ON和OFF。

ON：电流流向一个方向（漏-源，通过 FET 和第二个二极管），但不是另一个方向（源-漏，因为第二个二极管指向错误的方向）

关：电流不会以任何一种方式流动，因为无论你怎么看，都有一个二极管与电流的流动相反。

两个串联的 MOSFET，指向相反的方向：

有四种可能的状态。开-开、开-关、关-开和关-关。对于这个例子，我将用上图所示的方向描述电流流动。

ON-ON：电流可以双向流过电路。

ON-OFF：电流可以从左向右流动（通过左 FET 和右二极管），但不能从右向左流动（因为右二极管）

OFF-ON：电流可以从右流向左（通过右场效应管和左二极管）但不能从左流向右（因为左二极管）

OFF-OFF：电流不能在任一方向流动，因为在两个 FET 都关闭的情况下，你所拥有的只是两个二极管阻止电流在任一方向流动。

因此，第三种拓扑可以选择阻断两个方向的电流，或者允许电流沿任一方向流动，具体取决于它的门控方式。

我同意第二张幻灯片中的措辞令人困惑，主要是因为它没有区分开关是打开还是关闭。我认为它们的意思是：

• 当开关关闭（使用栅极）时，没有电流可以流动，因此如果其中一个电源关闭，它不会像没有额外二极管的简单单个 MOSFET 那样有一个电压向后施加。这是“双向阻断电压”部分。

• 当开关打开时（使用栅极），电流可以从高压侧向低压侧沿任一方向流动。

在第一张幻灯片中，体二极管允许电流从 Vin 或 Vbatt 流向 Vcc。

当栅极为低电平时，P-MOSFET 将体二极管短路，大概是为了在 Vin 处提供更高的电压来为电池 Vbatt 充电。

换句话说： - 当 Vin 连接时，电流从那里流出 - 否则，从电池 - 当栅极为低电平时，电池从 Vin 充电

在第二张幻灯片中，默认状态会阻止任一方向的电流。