为什么我的简单升压转换器会给我如此高的峰值输出电压?

电器工程 电源 开关模式电源 促进 香料
2022-01-11 17:55:44

我试图通过 LTSpice 中的模拟来了解开关模式电源的基本原理。

我想按照教科书中经常给出的教学模型构建一个极其简单的升压转换器电路,但我无法让这个东西像我期望的那样表现,可能是因为实践中的情况非常不同:)

这是从LTSpice导出的原理图(注意它使用了ISO符号;右边的组件是一个电阻):

在此处输入图像描述

电源电压为 5V,我正在寻求将其增加到 12V,负载电流为 1A,或输出功率为 12W。我选择了 20kHz 的开关频率。根据我的计算,我需要 0.583 的占空比来执行此操作,因此开启时间应为 29.15 µs。假设效率为 0.90,输入功率将为 13.34W,输入电流为 2.67A。

可能让我陷入困境的假设:

  • 对于如此简单的设计,效率可能完全不现实,而且我的输入电流比我预期的要高得多。
  • 最初我不太关心纹波,所以我只是随机选择了电感器和电容器。
  • 也许开关频率太小了。

我以 10 毫秒的时间运行了模拟(应该在图中可见)。

我期望看到的是 5V 的电压,可能在点 2(电感器和 NMOS 之间)处带有轻微的纹波,在点 3 处(在二极管和电容器之间)有 12V 的电压和纹波。

相反,结果看起来完全混乱——我得到一个 23V 的峰值电压,在点 2 处振荡在 11.5V 左右,而峰值电压略低于 22.5V,在点 3 处振荡在 17V 左右:

20kHz

基于我的开关频率可能太低的预感,我尝试将其提高到 200kHz(T=5µs,Ton=2.915µs),现在我得到了更像我正在寻找的东西,即 12.8V 的峰值电压第 2 点(在 0V 和 0V 之间振荡)和第 3 点的 12V 峰值(振荡约 11.8V):

200kHz

电压波动很大。我尝试将电感器的尺寸增加到 100µH,但它似乎影响的只是启动振荡。所以我将电容增加到 10µF,这似乎奏效了,第 3 点的电压振荡要小得多。上图是使用 10µF 电容器的结果。

那么,我的问题是:

  • 我的原始模型有什么问题?
  • 20kHz 是一个完全不切实际的开关频率吗(看起来很奇怪)?
  • 如果我想要一个 20kHz 的开关频率,我必须改变什么才能使电路按预期工作?更大的电感器?
  • 当电路达到稳态时,输入侧的电压与输出侧的电压相似是否正常?
  • 我应该使用什么等式来确定电容器的大小?
4个回答

在此处输入图像描述

您的升压器在不连续导通模式或 DCM 下运行(电感器电流在每个开关周期都变为零)。占空比成为负载和占空比的函数。如果您增加负载、电感值或开关频率,您将达到一个点,您会看到您期望的调节 - 这称为 CCM,或连续导通模式。电感电流不会降至零,而是持续流动。您的占空比公式将在此处有效。

20 kHz 对于升压转换器来说非常慢。14A的峰值电感电流也是不现实的。大多数 PFC 升压转换器的工作频率为 70 至 100 kHz。较低频率的转换器通常需要较大的电感器。如果要在 20kHz 下实现 CCM,则需要更大的升压电感值。在您的模拟中尝试 470uH,您会看到电压接近 12V。(如果您的模型中有控制器,它会自动调整占空比以达到 12V,无论 CCM 或 DCM 操作如何)。

因为您的转换器非常依赖 DCM,所以开关节点电压类似于输出电压。如果您靠近 CCM,您会看到更清晰的画面。

对于此模拟,电容器的大小应确保开关导通时间电压骤降(由负载引起)不会过大。在现实生活中,您必须考虑其他重要参数(整体环路稳定性、纹波电流和额定寿命),以及正确的 MOSFET 选择、反向恢复和升压二极管的柔软度……

使用您选择的组件值,它确实更适合以 200kHz 频率运行。即使在 200kHz 时,我发现更合适的输出电容可能更像 33 或 47uF。

如果您使用的是没有指定等效串联电阻的理想电感器,那么我建议您尝试使用 LTSpice 库中的一种实际电感器,例如 Coiltronics CTX10-3。那个的 DCR 为 0.028 欧姆。这将有助于减少启动电流的初始浪涌。

另请注意,具有实际开关 VR 控制器的实际设计将具有软启动功能,可将 PWM 占空比逐渐提高到其工作水平,而不会出现巨大的初始浪涌。此外,控制器将通过分压器监控输出电压并将其与参考值进行比较,以不断调整 PWM 占空比,从而调节输出电压。

我在 LTspice 中的这个电路也有问题。我认为我的问题与您的问题不完全相同,但这是搜索“ltspice boost converter”时唯一不错的结果,所以我将把答案放在这里。

以下是我做错的事情:

  1. 我使用了通用的“nmos”模型。它不起作用。我不知道为什么,但它似乎即使在开启状态下也有非常高的电阻,这很奇怪。无论如何,修复它的方法是放置通用nmos,然后右键单击它并单击“选择新晶体管”,然后从列表中选择一个,例如IRFP4667。

  2. 我的滤波电容太大了。这意味着输出电压需要几秒钟才能稳定(在现实生活中很好,但在模拟中很烦人)。

这是我的最终电路:

升压转换器电路

细节(可能不重要):

  • 我给 5V 电压源一个 1 欧姆的串联电阻。
  • 电感器的串联电阻为 6 欧姆。
  • 脉冲串参数为 Ton = 8us,Toff = 2us (T=10us; 100 kHz)。

如果有人知道为什么标准 nmos 模型不起作用,请告诉我!

你说,“我想建立一个极其简单的升压转换器电路”。我想做同样的事情,并在 LTSpice 中构建了许多 Joule Thief,我将其归为同一类别—— Joule Thief 确实是一个伪装成爱好者电路的自我优化升压转换器,但我学到了一个很多关于从步进焦耳小偷参数的升压转换器。而且因为它是自我优化的,它几乎总是会做一些事情,让你感觉到电路的各个方面是如何影响事物的。这里有一个焦耳小偷供你使用:

在此处输入图像描述

所以,这是一种方式。但...

如果您想将 LTSpice 中的 Joule Thief 实验与类似配方的方法联系起来,请查找一些 34063 数据表,例如来自 ON Semi 的 MC34063A有一个表格给出了升压转换器、降压转换器和反向升压转换器的配方。


这是升压转换器的示意图:


MC34063 升压转换器原理图


这是公式表,从上到下一步一步地遵循:


MC34063 配方表,用于为升压、降压和反向升压三种拓扑选择组件。


如果您交替使用这两个方向,我相信您可以“自学”一些您想要获得的直觉。

我在 LTSPice 库中找不到 MC34063,但您可以从表格中完成练习,然后从 LTSPice 库中调出 Joule Thief 或任何升压转换器芯片,并插入给定场景给您的组件,它应该接近你想要的,然后你可以调整它。HTH。