在实践中使用哪些二极管修改器来模拟带有 SPICE (Berkeley v.3f5) 的 LED? 这些可供我使用:
# Name Parameter Units Default Example Area
1 IS Saturation current A 1e-14 1e-14 *
2 RS Ohmic resistance Ω 0 10 *
3 N Emission coefficient - 1 1.0
4 TT Transit-time s 0 0.1ns
5 CJO Zero-bias junction capacitance F 0 2pF *
6 VJ Junction potential V 1 0.6
7 M Grading coefficient - 0.5 0.5
8 EG Activation energy eV 1.11 1.11 Si
0.69 Sbd
0.67 Ge
9 XTI Saturation-current temperature exponent 3.0 3.0 jn
2.0 Sbd
10 KF Flicker noise coefficient - 0
11 AF Flicker noise exponent - 1
12 FC Coeff. for for.-bias dep. cap. formula 0.5
13 BV Reverse breakdown voltage V ∞ 40.0
14 IBV Current at breakdown voltage A 1.0e-3
15 TNOM Parameter measurement temp. °C 27 50
3.4.2 二极管模型 (D) 二极管
的直流特性由参数 IS 和 N 确定。其中包括一个欧姆电阻 RS。电荷存储效应由传输时间 TT 和由参数 CJO、VJ 和 M 确定的非线性耗尽层电容建模。饱和电流的温度依赖性由参数 EG、能量和 XTI 定义,饱和电流温度指数。测量这些参数的标称温度为 TNOM,默认为 .OPTIONS 控制线上指定的电路范围值。反向击穿由反向二极管电流的指数增加建模,并由参数 BV 和 IBV(均为正数)确定。
我不太关心高频特性——只是希望能够在其工作规格内匹配它的 IV 曲线(-10uA/-5V 泄漏到 +100mA/+2.2 'ish V 正向):