当您按下 S1 时，您将在具有小电容 Cgs 的栅极上存储电荷。这种电荷维持了保持漏极和源极之间沟道的电场。按下 S2 后，栅极上的电荷被耗尽，通道关闭

MOSFET 的栅极具有非常非常高的直流电阻。出于所有意图和目的，如果它只是处于某个稳态值（我们说的是毫微微安培或更少），它基本上根本不会消耗任何电流。

此外，MOSFET 栅极都具有“寄生电容”，它本质上是几个将栅极连接到漏极和源极的微小电容器（通常为几个 pF）。

当您按下开关 S1 时，您会从 +5V 电源轨中输入一大堆电荷，这会打开 MOSFET。诀窍在于它还为栅极的寄生电容充电。当您释放 S1 时，所有存储的电荷都无处可去。它不会被 MOSFET 的栅极消耗（因为栅极不消耗任何电流），也没有任何返回地面的路径。

由于电荷无处可去，它只是坐在那里并在栅极上保持 +5V，直到您连接其他东西（例如 S2 或万用表）并为电荷带回地面提供路径。

编辑：有趣的是，这种现象也正是 NAND Flash 的工作原理。