热流需要时间。如果几乎所有的能量都用于提高温度，并且只有很少有用的热量被允许有时间大量流入其周围环境，那么您可以使用“脉冲的作用积分”来估计故障. 如果您可以在“焦耳每欧姆”或“\$I^2\cdot s\$”中找到电阻器的规格，那么您可以应用它。如果没有，您将不得不使用这些曲线进行估算。

上述各种规格更常见于保险丝，因为这是他们所做的工作，因此被指定去做。另一方面，电阻器实际上是为了耗散而设计的。因此，这增加了另一个需要考虑的因素。

相反，让我们看看您的 2512 曲线。在大约 \$t=100\:\mu\textrm{s}\$ 之前，它是平坦的。在拐角处，我猜它可以处理大约 \$4000\:\textrm{W}\cdot 100\:\mu\textrm{s}=400\:\textrm{mJ}\$ 的脉冲。对于 \$1\:\文本{s}\$。鉴于此处的对数标度，我得到以下等式，用于说明电阻器随时间吸收一个能量脉冲的能力：

$$\begin{split}E_{limit}&=4000\:\textrm{W}\cdot t\\E_{limit}&=1.91089572\:\textrm{J}\cdot \ln \left(t\right )+18\:\textrm{J}\end{split}\quad\begin{split}&\textrm{ where}\quad t \le 100\:\mu\textrm{s}\\&\textrm{ where }\quad 100\:\mu\textrm{s}\le t \le 10\:\textrm{s}\end{split}$$

这是一个热点计算，它可能只适用于图表持续时间的几倍，其中其他因素允许耗散稳定在额定功率。它们只显示曲线持续到一秒。但是上面的等式可能会在曲线末端之后起作用。无论如何，它会给你一个想法。

如果我做对了，那么通过 RC 电路传递到 R 中的能量是以下时间函数：

$$E_{衰减}=\frac{V_0^2\cdot C}{2}\cdot \left(1-e^{-\cfrac{2\cdot t}{R\cdot C}}\right)$ $

如果此值在任何时候超过 \$E_{limit}\$，您可能会遇到问题。鉴于您的测量值高达 \$40\:\textrm{A}\$，我会说您的 \$V_0=132\:\textrm{V}\$ 用于上述目的。因此，如果您查看 \$t=100\:\mu\textrm{s}\$ 的情况，您会得到 \$\约 462\:\textrm{mJ}\$，它超过了您的评级曲线。我认为，为了安全起见，您可能希望基本上处于它之下。没有结束。

曲线确实表明，给定更多的时间，应该有足够的时间，因此没有剩余的问题。但这似乎暗示了使用单个设备时的极端情况问题。

我猜你正在使用其中两个，但仍然有问题。（我不确定这一切是如何安装的，这也可能很重要。）无论如何，如果您插入等效的 \$1.65\:\Omega\$ 配对电阻器，您会得到 \$812\:\textrm{ mJ}\$ 两者。其中，两者之间的划分仍然超过了规范（只有一点点。）

只是一个补充说明，因为我必须对上面的第一个等式进行更正，对于 \$t\lt 100\:\mu\textrm{s}\$。我之前只是把它设为常数，但它确实是时间的函数。更短的时间？传递的能量更少。那里的曲线是平的，这一点很明显。我只是没能在等式中解释它。

因此，通过更正，您可以更轻松地看到在更短的时间段内，例如 \$t=10\:\mu\textrm{s}\$，\$E_{decay}\$ 方程提供 (使用我的 \$V_0=132\:\textrm{V}\$ 数字（基于你写的 \$40\:\textrm{A}\$）大约 \$100\:\textrm{mJ}\$ 的能量进入 \$1.65\:\Omega\$。但是 \$4000\:\textrm{W}\cdot 10\:\mu\textrm{s}=40\:\textrm{mJ}\$ 作为曲线的限制。因此，在考虑这样的较短时间时，曲线远远超出了。即使使用 \$V_0=100\:\textrm{V}\$，我也会在短时间内获得 \$60\:\textrm{mJ}\$ 的能量。所以，还是超出了规格。

我明白你为什么会遇到麻烦。

假设热量完全保持在电阻内部，让我们计算一个脉冲的温升。如果 5 分，没关系，对吧？但是如果上升 5,000 摄氏度，它（已经变成等离子）不行，同意吗？

我们需要知道电阻器内部可以存储多少热量。这是一个有用的数字：硅的比热（就像纯物质一样，用作硅晶片）是每立方微米每摄氏度升高 1.6 皮焦耳。

我会让您将电阻器尺寸转换为微米、长度、宽度、高度，并计算总体积。假设电阻器有一个粘土/陶瓷基底，金属膜沉积在该基底上。薄膜中产生热量，并迅速流入硅/粘土/陶瓷基体。

时间常数是多少？注意这里。热流的时间常数与尺寸不是线性的。时间常数随着大小的平方而变化。

硅立方尺寸时间常数

1 米立方 11,400 秒

10cm立方体114秒

1cm立方体1.14秒

1mm 立方体 0.014 秒（14 毫秒），大约是 SMT 电阻器的大小

100 微米立方 114 微秒

10 微米立方 1.14 微秒

1 微米立方 11.4 纳秒

0.1 微米立方 114 皮秒（大约 FETS 导电层的厚度）

编辑在我看来，电阻区域越厚，电阻器的生存能力就越高。在薄膜中，热量必须流入粘土/硅块。在碳成分电阻器中，大部分电阻体包括电阻器；结果是热量在整个电阻体中产生，并且很好地利用整个质量作为直接散热器，因为除了引线外，热量无处可去。考虑到这一点，请检查此图：

^{模拟此电路- 使用CircuitLab创建的原理图}

让我们讨论一下1mm立方体电阻的能量存储。你有一个能量储存挑战。在每边 1,000 微米的情况下，该立方体的体积为 10 亿立方微米。假设整个电阻器----电阻区域、外部保护釉和任何内部硬质陶瓷底座----每立方微米每摄氏度有 1.6 皮焦耳，您的热容量为

$$ 10 亿立方微米 * 1.6 picoJoule/cubicmicron/degree Cent$$

或 1.6 毫焦耳/度分的能量存储。

您的能量是每个电阻器 20 安培（并联 2 Rs，每个 3.3），持续 0.5milliSec。什么是焦耳？P = I^2 &* R = 20 * 20 * 3.3 * 0.0005 秒，或 1320 焦耳/秒 * 0.0005 = 0.65 焦耳。

现在除以 650 毫焦耳/1.6 毫焦耳（对于 1milliMeter 立方体积），温升为 400℃。焊料熔化；铝蠕变。

我相信您应该在您提供的公式中使用 1.65 而不是 3.3 ohm，$$P = v^2/R\frac{ti}{tp} = (100x100/1.65) \text x 0.0005/1 = 3.03W$ $ 如您所见，这表明您需要两倍的功率。此外，峰值功率现在为 $$p = I^2R = 40x40x1.65 = 2,640$$ 这表明每个电阻器至少需要 1.5W，但由于您使用的是两个3.3 ohm不匹配电阻器，因此安全，你应该让每个电阻都承载满载。因此您需要每个 3.3 电阻器能够耗散3W。

编辑：将额定功率加倍的其他原因是：1）每个电阻器都会干扰另一个电阻器的散热能力，2）每个电阻器变成一个加热器，用于另一个电阻器。