在我看来，您需要的是 MOSFET 两端的电压缓冲器。一种简单的方法是简单地在 MOSFET 上连接一个串联电容器 + 电阻器。我估计大约 2.7 nF 的值（大约 3 倍 MOSFET 的电容）和 100 \\$\\Omega\\$的电阻器是正确的。

这份古老的应用笔记描述了各种缓冲电路，包括何时以及如何使用它们。你可能会在那里找到一些灵感。

尝试将一个肖特基二极管放在电机上，然后将另一个穿过引线连接到电机，然后它们离开 PCB。

它还有助于确保您的电源在高频时被很好地绕过。在靠近电机进料位置的电源上放一个陶瓷盖。在您的电压下，这可能是 10 µF 左右。

不要在 FET 上盖上盖子，并保持电机上的盖子很小，并将其放在靠近电机的位置。我不会使用超过 1 nF 左右。

这似乎是杂散电感和器件匹配的经典案例。

杂散电感

让我重新画出你的电路来帮助解释这一点。

^{模拟此电路- 使用CircuitLab创建的原理图}

我将做出一个合理的假设，即交流电通过一个隔离变压器来自电源，因此您可以安全地将直流电接地（在盖子上）。如果不是这种情况，您还有其他一些问题需要处理。

接受这个合理的假设Stray1 & Stray2可以忽略。

这留下了 Stray3，Stray4和Stray5

这些中的每一个都会导致您看到的初始超调。当您强制换向感性负载时，会出现这种过冲。虽然有些是意料之中的，但必须设法将峰值保持在设备的额定电压以下（芯片的额定电压）。

现在，其中一些将成为测量过程中的伪影。以Stray4,5 为例，如果您将示波器探头夹在电容器处的 EARTH 上，当您开始对负载电感进行换向时，该杂散电感会影响您所看到的电压。

您开始切断流过 FET 的电流，因此 V = Ldi/dt 将产生一些电压。您立即测量的不再是真正的设备电压。

现在您可能会说您已将示波器的 GND 夹在 FET 的支腿上，即使这样也会有一些杂散，所以您看到的可能不是设备的真实电压。

关于杂散 4,5 的主题是这些杂散电感，通常是由于布局不良，是关断时电压过冲的主要原因。您试图通过关闭 FET 来中断流过它们的电流，但它们没有通过换向的路径。因此，他们将尝试保持电流流过 FET。

Stray6以及慢速（相对于 FET 开关）同样会阻碍负载电流的换向，因此再次导致漏源电位增加。

Stray3将在进入电源电路的电压上出现振荡。

二次振铃

在您的两个图中，您都可以看到一些二次振铃。造成这种情况的原因有很多

1. 栅极驱动不足。如果驱动能力很弱（或栅极引线中有很多电感），它将无法很好地保持器件关闭，并且由于米勒电容而流动的电荷将尝试打开器件 -> osc
2. Stray5 和 Stray6 将随着换向路径之间的能量交换而振荡
3. 如果 FET 与二极管相比更快、更灵敏，那么您可能会导致 Stray5 和 Stray6 加剧的开关振荡

解决方案？

1. 检查你的布局！短而厚的轨道，甚至可能是薄层，以最大限度地减少电感。保持 DIODE 和 FET 之间的距离最小！
2. 如果您的 GateDrive 很弱，请改进它
3. 如果您的 GateDrive 很强大，请考虑增加栅极电阻以减慢切换速度
4. 如果仍然失败，请考虑在 FET 上使用缓冲器来缓解问题。