我做了一项考试,询问给定 BJT 电路的“功耗”。问题很简单,但我的教授认为我对耗散功率的计算是错误的,因为我的答案是\$P = V_{CE} \cdot I_C + V_{BE} \cdot I_B\$。
但他告诉我正确的答案是\$P = V_{CE} \cdot I_C\$。
有人可以指出教科书或科学文章来确认我的答案,以便我可以再次与他交谈吗?
我在互联网上找到了一些链接来确认我的答案,但他不会考虑网站...
我做了一项考试,询问给定 BJT 电路的“功耗”。问题很简单,但我的教授认为我对耗散功率的计算是错误的,因为我的答案是\$P = V_{CE} \cdot I_C + V_{BE} \cdot I_B\$。
但他告诉我正确的答案是\$P = V_{CE} \cdot I_C\$。
有人可以指出教科书或科学文章来确认我的答案,以便我可以再次与他交谈吗?
我在互联网上找到了一些链接来确认我的答案,但他不会考虑网站...
从理论上的 POV 来看,您的教授是错误的。您正确计算了 BJT 的总功耗。
您的教授可能只是在近似的方式上是正确的:如果 BJT 静止点都在活动区域并且它的 \$h_{FE}\$ 至少是 10-20,那么他(大约)是正确的,因为那时 \ $I_B\$ 将远小于 \$I_C\$ 并且 \$V_{BE}\$ 约为 0.6V,因此 \$V_{BE} \cdot I_B\$ 的贡献可以忽略不计。在这种情况下,你不能被认为是错误的,而只是过于热心。
但是请注意,如果 BJT 饱和,即它的两个结都前向偏置,则 \$h_{FE}\$ 不再将 \$I_B\$ 与 \$I_C\$ 相关联,即 \$I_B\$ 不能假定远低于 \$I_C\$。在这种情况下,基极 - 发射极结耗散可能与集电极 - 发射极结耗散一样相关,您的教授将完全错误。
后一种情况对于功率 BJT 尤其重要,因为它们的 \$h_{FE}\$ 非常小(~20,有时甚至更小),所以 \$I_B\$ 甚至不低于 \$I_C\$在活跃区域。因此,为了使它们完全饱和,有时您必须提供一个与 \$I_C\$ 相当的 \$I_B\$。考虑到 \$V_{CE(sat)}\$ 可能小于 \$V_{BE(sat)}\$,这意味着在某些特定(但不是理论上)情况下,基耗散可能略高于集电极耗散. 忽略它将是灾难性的(尤其是在为散热器选择合适的尺寸时!)。
顺便说一句,如果您的教授认为 \$I_B\$ 术语不正确,只需重新绘制晶体管电路,其基极由等效于偏置网络的 Thévenin 供电(以及连接到基极的任何东西),这样它可以用一个简单的两端网络来建模。然后计算该等效电路提供给 BJT 基极的功率,并询问该功率去哪里,如果不进入 BJT?
能量守恒定律是自然的基本规律。我希望你的教授不需要参考书就能相信这一点!
长话短说:你猜对了,他错了。
我会挑战他(警告:这可能会反击):
得到一个像2N3055这样的NPN功率晶体管。这些可能需要高达 7A 的基极电流。短接 C 和 E,使 Vce 为零。然后在基极和发射极之间施加 6A 的电流。
请他把手指放在上面。如果他是对的,那么功耗应该为零,因此晶体管根本不会发热。如果你是对的,Ib * Vbe确实会消耗功率并转化为热量。
我很确定他会在半分钟左右改变对 BJT 功耗的看法。
不幸的是,您可能会陷入您的教授不会承认他错了(或至少不如您正确)的位置,以便为自己挽回面子。
我没有书籍建议,但您可以下载免费的 SPICE 程序,如 LTSpice,在其中构建电路,并测量各种电压、电流和功耗。
http://www.linear.com/designtools/software/#LTspice
这可能对您学习如何使用这样的 SPICE 工具很有用(这并不太难),并且您可以享受听教授向您解释 SPICE 一定是错误的乐趣的乐趣。
遗憾的是,你的教授错了。考虑以下电路:
总功率为 (Vi x Ib) + (VCE x Ic)。如果您的教授是正确的,那么电阻器中消耗的功率为 Vi x Ib,但这意味着 Ib = Vi/R1,并且仅当 Vbe 为零时才成立,而事实并非如此。相反,VR = Vi - Vbe。这使得总功率 Vbe x Ib 无法计算。
祝你的教授承认他的错误好运。他显然对问题处理不当,以至于承认自己的错误对他来说非常困难,他可能会猛烈抨击你。至少,确保你私下接近他,因为公开讨论不太可能顺利进行。
即使在私下里,他也很可能会表现出敌意,所以要做好准备。