那是为了反极性保护。它的行为几乎像一个二极管，但电压降非常低。

PMOS 的原理图符号中缺少的是从左到右指向的体二极管。如果源极电压相对于 PMOS 的栅极为正（最初由体二极管导通），则 PMOS 开启，源漏两端的电压降甚至低于二极管的正向压降。

但请注意，这与真正的二极管不太一样。即使您在右侧连接电池，真正的二极管也会阻止电流流动。这个 PMOS 不会，因为它唯一需要导通的就是源极端电压比栅极端电压更正，负载可以将功率返回给电源（即电源关闭期间的电容器）。

如果 mosfet 的漏源电阻较低，则 mosfet 上的电压降低于二极管的电压降。

在非常高的开关速度下，单个电流峰值可能会产生损坏组件的高反向电压，其电压超过低压电路中大多数组件的最大反向电压的十分之一伏。