关于如何将去耦电容器连接到 IC 的其他问答线程有很多讨论,导致了两种完全相反的方法来解决这个问题:
- (a) 将去耦电容放置在尽可能靠近 IC 电源引脚的位置。
- (b) 将 IC 电源引脚尽可能靠近电源层连接,然后将去耦电容尽可能靠近放置,但要注意过孔。
根据 [ Kraig Mitzner ],选项 (a) 更适合模拟 IC。我看到了它背后的逻辑,因为过孔的电感和去耦电容形成了一个低通 LC 滤波器,可以使噪声远离 IC 的引脚。但根据 [ Todd H. Hubbing ],选项 (a):
[...] 在您应用一些现实的数字并评估权衡之前,这听起来是个好主意。一般来说,任何增加更多电感(不增加更多损耗)的方法都是一个坏主意。有源器件的电源和接地引脚通常应直接连接到电源层。
至于选项(b),[ Kraig Mitzner ](上图的作者)说它更适合数字电路,但他没有解释原因。我知道在选项 (b) 中,感应回路尽可能小;但是,它们仍然允许来自 IC 的开关噪声很容易进入电源层,这是我想要避免的。
这些建议是否正确?他们基于什么确切的推理?
编辑:考虑到 IC 的通孔通向电容器,通孔尽可能短。它们在图中显示为长迹线,仅用于说明目的。