电容器最终在高频下不再像电容器一样表现出电阻和电感效应。100pF 电容可过滤 100nF 电容无法过滤的高频。

下图清楚地显示了这一点，该图显示了 100nF 电容器和 100pF 电容器的阻抗（红色）（浅灰色顶部曲线）与频率的关系。看看 100nF 电容器如何从大约 10MHz 开始看起来是电感性的，而 100pF 到 1GHz 时仍然是电容性的。

链接到用于电容器分析的 Kemet Spice 工具。

基本上，任何电容器都有一点串联电感。这使得它在某个相当高的频率下串联谐振，直到该频率，电容器的行为就像您期望的那样，但是，高于该频率，电容器的阻抗像电感器一样上升，即它不再像一个像样的去耦器。

对于 100pF 电容，这发生在比 100n 电容高得多的频率上，因此，两个电容的联合效应产生了 100n 的“大”电容，能够在更高的频率下保持容性。

上图还显示了 PCB 走线长度的影响 - 显然，走线的电感与长度成正比，这增加了电容器的内部寄生电感，使其在较低频率下谐振。还显示了“理想”电容器响应（无串联电感）。

我在 MCU 的电源输入上看到了类似的方案，尤其是 ADC 部分。

其中 100nF 是标准去耦电容（从电容馈电给 MCU 内部电路供电），100pF 用于过滤高频瞬变。

ST对STM32F103使用了类似的方案

在第 36 页的图 14 中，使用 1uF + 10nF 为 ADC 供电。

应用笔记AN2834 “如何在 STM32Fx 系列和 STM32L1 系列器件中获得最佳 ADC 精度”，在第 3.2.1 节“参考电压/电源噪声最小化”中解释了 0.1uF + 10uF 的合理性：

建议在电源线和地线之间连接高频特性好的电容器。也就是说，应在靠近电源的位置放置一个 0.1 μF 和一个 1 到 10 μF 的电容器。电容器允许交流信号通过它们。小值电容器滤除高频噪声，大值电容器滤除低频噪声。