您对 FET 电阻的唯一控制是栅源电压。您需要减慢该电压的变化。最常见的方法是在栅极安装 RC 滤波器。在驱动源和器件栅极之间放置一个电阻，栅极的寄生电容将形成一个 RC 滤波器。电阻越大，开启和关闭越慢。

如果电阻太大，您可能会遇到抗噪声问题（错误的栅极触发等），因此超过某个电阻值（可能在 10k-100k 范围内），您最好添加电容栅极源以减慢开关速度进一步下降。

作为一般规则，我总是在所有 FET 上放置一个带有下拉电阻的 RC 滤波器。这允许控制上升时间，并提供改进的抗噪性。

^{模拟此电路- 使用CircuitLab创建的原理图}

请记住，只要您的 FET 没有完全“开启”或“关闭”，它就会看到增加的损耗。如果它打开，则设备两端的电压非常低。如果它关闭，则设备没有电流通过它。无论哪种方式，低损耗。但是，如果您介于两者之间，则该设备会同时看到电压和电流，这意味着在此期间其功耗要大得多。你切换得越慢，损失就越大。它在什么时候成为问题取决于 FET、源和开关频率。

没有足够的米勒时间？只是延长它。

Spehro 在这里采用了正确的方法。我打算驾驭他的大衣尾巴并稍微扩展一下这个想法，因为对于这种事情来说这是一个好主意。

\$C_{\text{dg}}\$ 在 FET 中是特殊的，因为它向栅极提供负反馈。这意味着它还乘以 FET 的跨导 (\$g_{\text{fs}}\$)。所以，它的影响比它的大小会让你相信的更大。但是，让我们暂时忘记 \$C_{\text{dg}}\$，而是在漏极到栅极之间添加一个外部电容器 (\$C_{\text{fb}}\$)，因为如果你真的想要减慢 FET 的上升和下降时间，这就是你要做的。这是一个示意图来帮助说明：

随着 \$V_{\text{drv}}\$ 上升和 \$V_{\text{ds}}\$ 下降，您可能会看到 \$R_g\$, \$R_L\$, \$g_{\ text{fs}}\$ 和 \$C_{\text{fb}}\$ 都在限制 \$V_{\text{gs}}\$ 的值中起作用。\$V_{\text{ds}}\$相对于\$V_{\text{drv}}\$的小信号传递函数为：

\$-\frac{R_L}{s C_{\text{fb}} \left(g_{\text{fs}} R_g R_L+R_g+R_L\right)+1}\$

并且，\$R_g\$、\$R_L\$、\$g_{\text{fs}}\$ 和 \$C_{\text{fb}}\$ 都参与了极点的形成。（请注意，为清楚起见，此处省略了所有 FET 电容。）

为了大致展示这是如何工作的，将一些值放入一个非常简化的模型中。\$R_g\$ = 1000 欧姆，\$R_L\$ = 2 欧姆，\$V_{\text{drv-pk}}\$ = 5V，\$V_{\text{cc}}\$ = 10V， \$g_{\text{fs}}\$ = 5 S。

这是 \$V_{\text{ds}}\$ 在应用 \$V_{\text{drv-pk}}\$ 上的图。

蓝色曲线为\$C_{\text{fb}}\$ = 100pF，紫色曲线为\$C_{\text{fb}}\$ = 1000pF。当然，开关损耗会越来越大。还应该提到的是，像这样添加一个米勒反馈电容会使电路对 dV/dt 导通更加敏感。

您可以在栅极上添加一个串联电阻。通常这样做是为了减缓上升-下降时间，以降低 EMI 或防止过度过冲。显然这会增加开关损耗（但不会增加传导损耗），因此需要进行权衡。除了导致切换变慢之外，它还会增加延迟时间，因此如果有可能出现交叉传导或类似问题，请记住这一点。

对于给定的栅极电阻值，您获得的斜率将取决于栅极到源极和栅极到漏极的电容，以及 Vcc 的值。当 MOSFET 开关时，电阻器提供电流以在 Vcc 和 0 之间对 \$C_{GS}\$ 充电以及对 \$C_{DG}\$ 充电。总充电量通常在数据表（在给定条件下）作为栅极电荷（以纳库仑为单位测量）。由于米勒电容 (\$C_{DG}\$)，负载的性质也会发挥作用。

您的 MOSFET 的工作条件是什么？

当用作开关时，MOSFET 大部分时间处于两种状态：

• 阻塞：高 \$V_{\text{ds}}\$ 电压，无电流 -> 无耗散功率
• 传导：极低\$V_{\text{ds}}\$电压（\$I_{\text{d}}\times R_{\text{ds_on}}\$），高电流（\$I_{\ text{d}}\$) -> 小耗散功率 (\$R_{\text{ds_on}} \times I_{\text{d}}^2\$)

MOSFET 在非常短的时间内处于第三种状态。而这第三种状态是当它导通一点时： - 不可忽略的 \$V_{\text{ds}}\$ 电压，不可忽略的电流。\$I_{\text{d}} \times V_{\text{ds}}\$ 可能很高！-> 可能耗散的功率很大。

如果您计划通过设计将您的 MOSFET 长时间置于第三种状态，您必须确保其结温的升高不会让它超过该结的最大允许温度。（在数据表中找到）必须仔细研究降低 MOSFET 的压摆率。

我不知道你在开什么车。如果它是一个 LED，并且您希望它变得越来越亮，但缓慢，您最好在 MOSFET 的栅极上使用 PWM，并且仍然将其用作开关。如果 PWM 非常快，人眼将无法察觉。

同样的方法也适用于驱动电机。