我见过的许多 IC 建议在 Vdd 到 Vss 之间使用去耦电容——这是明智的。
但是,某些 IC 例如 dsPIC33FJ128GP802 具有三个 Vss 引脚和只有两个 Vdd 引脚(AVdd 和 Vdd)。那么我应该在每个 Vdd 引脚上放置一个去耦电容,还是从每个 Vdd 引脚到每个 Vss 引脚?
我见过的许多 IC 建议在 Vdd 到 Vss 之间使用去耦电容——这是明智的。
但是,某些 IC 例如 dsPIC33FJ128GP802 具有三个 Vss 引脚和只有两个 Vdd 引脚(AVdd 和 Vdd)。那么我应该在每个 Vdd 引脚上放置一个去耦电容,还是从每个 Vdd 引脚到每个 Vss 引脚?
我相信一般规则是每个 Vdd 引脚 1 个上限。
你用的是地平面吗?如果是这样,请不要费心将盖子连接到 Vss 引脚。但是,如果您使用的是接地总线,那么是的,您应该将电容的阴极直接连接到 Vss。
对于那个芯片,是的,你会的。他们实际上分配了相当多的空间(数据表中的第 21 和 22 页)来描述所需的电容器。
但是,作为一般规则,您确实希望每个 Vdd 引脚有 1 个电容。接地平面无需在 Vss 上进行去耦,如果您没有接地平面,您将遇到问题。
在 dsPIC 链接(和许多其他芯片)的情况下,每个 Vdd 引脚都与 Vss 引脚相邻,所以把它放在那里。实际上有四个 Vdd 引脚和四个 Vss 引脚,因此它们匹配:2xVdd(IO 电源)、1xAVdd(ADC 电源)和 1xVcap/Vddcore(内部稳压器电容),以及 3xVss 和 1xAVss。
你忽略了\$V_{CAP}/V_{DDCORE}\$。如果考虑到这一点,您会发现每个电源引脚都有一个 \$V_{SS}\$。
我只希望 Microchip 将引脚 8 的 \$V_{SS}\$ 和引脚 13 的 \$V_{DD}\$ 放在相邻引脚上,就像对引脚 19/20 和 27/28 所做的那样。
如数据表第 2.3 节所述,内核有一个内部稳压器,它需要一个输出电容器来保持稳定性。那是\$V_{CAP}/V_{DDCORE}\$。你在这个引脚和地之间连接一个 4.7\$\mu\$F 到 10\$\mu\$F。这就是你需要的所有引脚,其余的都是内部的。
数据表中的第 2.2 节介绍了去耦并显示了此原理图:
一些设计人员会在原理图的一角绘制电源轨,并将所有去耦电容器放置在那里。他们的借口是原理图本身的去耦会使它变得混乱并使其不那么清晰。IMO 这是一个坏主意。特别是如果其他人将创建 PCB 布局,则不清楚电容器的物理位置。如果您像上面的原理图那样绘制它们,至少会建议电容器属于哪个引脚,PCB 布局工程师会知道它必须靠近引脚放置。