是的，去耦电容和旁路电容是一回事。

这些是指物理上靠近电源的电容器。电容器在短时间内保持本地电压，直到电流馈电赶上。由于返回电源的较长线路不可避免的电感，这些线路中的电流需要一段时间才能改变。旁路或去耦电容器的目的是在突然的电流需求期间提供少量额外能量，直到可以从更远的地方提供更多电流。

由于去耦或旁路是一个高频问题，因此必须选择用于此目的的电容以在高频下实现低阻抗。它们的大容量存储能力并不重要。在实际意义上，这意味着它们通常是陶瓷的。

在过去（1980 年代，甚至像 1970 年代那样回到更新世），这种电容器通常是 100 nF 陶瓷盘。那是关于体积小且价格合理的最大陶瓷。如今，SMD 多层陶瓷 1 µF 电容器具有更好的特性，而且价格便宜且容易获得。

对于普通用途，例如围绕微控制器或连接到其中的数字芯片，1 µF 陶瓷是一个不错的选择。如果你在做射频，那么你必须更仔细地查看电容器阻抗图表。我曾经使用一个特定型号的 100 pF 电容来绕过射频芯片，因为它们在感兴趣的频率上的阻抗低于其他具有更高值的电容。