为什么NA​​ND只在块级而不是页级擦除?

电器工程 闪光
2022-01-12 09:15:25

下面是我对 NAND 闪存如何组织的理解,通过这种设计,应该可以只擦除单个页面并对其进行编程,而不是擦除整个块。我的问题是,为什么 NAND 实现不在更细粒度的页面级别进行擦除?直观地说,所有需要做的就是呈现代表被擦除页面的字线,用高电压去除浮栅上的电子,同时保持其他字线不受影响。对此背后的原因的任何解释表示赞赏。

NAND闪存块组织

2个回答

如果您不同时将它们全部擦除,则需要更高的电压,因为您试图将浮动栅极电压提高到高于源极电压的某个电压。如果源极不通过其他晶体管接地,则许多源极电压已经处于高于地电平的某个水平。此外,如果您尝试使用更高的电压,则其中一些电压可能最终会出现在某些晶体管上,其源极接地,这可能足以损坏晶体管。

我对块擦除的想法感到非常困惑......我找到了一本详细解释闪存的书。您可能对作者的解释感兴趣:

...以较小的块擦除 Flash 使代码和数据存储的管理更容易、更安全。最奇怪的是为什么块大小没有一直减小到理想的单字节/字擦除。原因是块越小,晶体管和裸片面积的损失就越大,从而增加了成本。虽然较小的块更易于使用且擦除速度更快,但它们的裸片尺寸成本更高,因此每个块方案都必须平衡其块大小与设备成本和目标应用的需求......”

引自以闪存为重点的非易失性存储器技术:理解和使用闪存器件的综合指南(IEEE 微电子系统新闻系列)Joe Brewer,Manzur Gill