可悲的是，此设置不起作用。如果您仔细查看数据表，它会指出 MOSFET 的阈值电压保证在 1.5V 和 2.5V 之间，典型值为 1.8V。

即使假设您很幸运，并且您有一个阈值为 1.5V 的样本（对您来说是最好的情况），但这并不意味着 MOSFET 在其 Vgs 电压达到该值时会神奇地打开。这是使 MOSFET 几乎不导通所需的最小电压：在数据表的那一行中，您可以注意到阈值电压指定为 Id 不足 250μA。该电流水平不足以可靠地操作普通继电器。

注意：（正如@SpehroPefhany 在评论中指出的那样）这些是 25°C 时的值。如果环境温度较低（例如冬天、寒冷气候、电路放置在寒冷的房间中），则在该 Vgs 水平下的电流会更小，直到 MOSFET 升温！

要将 MOSFET 用作闭合开关，您必须将其驱动到 ON 区域，特别是在欧姆区域，即它表现为（小值）电阻的部分输出特性：

如您所见，显示的曲线对应于更高的 Vgs 值（~2.8V 或更高）。查看 Rds(on) 图表可以更好地理解问题，即“开关的电阻”：

从右图可以看出，Rds(on) 不会随电流变化很大，但左图讲述了另一个故事：如果将 Vgs 降低到 ~4V 以下，电阻会急剧增加。

总而言之：这个 MOSFET 不能仅用 1.8V 的电压开启。至少您应该提供足够的 Vgs 以使其在最坏的情况下导通，即 Vgs(TH)=2.5V。你的 3.3V 实验证实了这一点。

@Lorenzo 解释了为什么这对他不起作用，如果它确实起作用，那将是微不足道的，这可能会被认为更糟。

以下是合适 MOSFET (AO3416) 的规格：

Rds(on) 保证在 1.8V Vgs 和 34m\$\Omega\$，即使由于 1.8V 电源或温度的容差而稍微高一些，对于 12V 继电器来说仍然有足够的驱动力。

一般来说，您应该使用 Vgs(th) 来确定 MOSFET 何时大部分关闭，并使用指定 Rds(on) 的电压来确定它何时大部分开启。

数据表中的图 2 和图 3 如下所示。

请注意，在图 2 中，对于小于约 2 伏的 Vgs，漏极电流将接近于零，而当 Vgs 为 3 伏时，沟道得到了很好的增强。

这与您的实验一致，表明您需要在栅极上增加更多电压才能使电路正常工作，

图 3 显示了 Rds(on) 如何在 Vgs 下降时快速上升到一个高值，即使它是针对 20 安培的 Id 给出的，曲线的斜率在您的电路中也会相似，最终效果是当 Vgs 变得足够低时，与继电器线圈和直流电源串联的 Rds(on) 将上升到足够高的值，以将通过继电器线圈的电流限制到无法启动的点.

由于您没有确保 Rds(on) 足够低以允许继电器工作所需的栅极驱动，可以说最简单的方法是用软糖双极晶体管代替 MOSFET 并驱动基极晶体管通过带有 1.8 伏信号的电阻器。

其他答案很好地解释了为什么问题中的 FET 不起作用。我将专注于解决方案。

一是使用为此目的而设计的场效应管；例如FDN327N。

另一种廉价、易于采购且可靠的解决方案是使用普通的 NPN 双极结型晶体管。

为了确定合适的电阻，找到继电器的最小电阻 Rlmin 和 12V 电源的最大值（比如 V12max=13.6V），得到集电极中的最大电流 Ic=V12max/Rlmin（保持饱和电压作为工程余量） . 找到该电流饱和时 NPN 晶体管的最小增益（合理而不是过于保守；严格来说，BC848C 数据表仅保证饱和时的最小增益 Gmin 为 20，但 C 级的 5V Vce 的 420 min 可能会给我们足够的信心来使用 G=50）。我们应该针对基极的最小电流是 Ib = Ic/Gmin。然后我们必须考虑驱动 DATA 端口的设备的最小电源电压 V1_8min，减去负载 Ib 下该 DATA 端口的高端 FET 上的最大额定压降 Vdrop，另外 0.75V 左右的 V _BE(ON)在在 Ic 处饱和，最大电阻为 Rmax=(V1_8min-Vdrop-V _BE(ON) )/Ib。

如果 V1_8min-Vdrop-V _BE(ON)变为负数，我们需要对总和中的三个值进行不那么保守的估计，这可能会受到不那么保守（增加）的 Gmin 的帮助，这会降低 Ib。

我们还必须确保 DATA 端口中的电流不超过其最大额定值（为此我们必须考虑最大 V1_8、最小高压侧压降和 V _BE）。如果超过，我们必须增加电阻并证明不太保守的估计（特别是 Gmin）。