误区：制造商合谋将内部二极管放入分立元件中，因此只有 IC 设计人员才能使用 4 端子 MOSFET 做巧妙的事情。

真相：4 端子 MOSFET 不是很有用。

任何PN 结都是二极管（以及其他制造二极管的方法）。一个 MOSFET 有两个，就在这里：

那大块 P 掺杂的硅是主体或衬底。考虑到这些二极管，我们可以看出，主体始终处于低于源极或漏极的电压是非常重要的。否则，您将正向偏置二极管，这可能不是您想要的。

但是等等，情况会变得更糟！BJT 是 NPN 材料的三层三明治，对吧？MOSFET 还包含一个 BJT：

如果漏极电流很高，则源极和漏极之间的沟道电压也可能很高，因为不为零。如果它足够高以正向偏置体源二极管，那么您就不再有 MOSFET：您有一个 BJT。这也不是你想要的。$R_{DS(on)}$

在 CMOS 器件中，情况会变得更糟。在 CMOS 中，您有 PNPN 结构，它构成了一个寄生晶闸管。这就是闩锁的原因。

解决方法：将机身短接到源头。这会使寄生 BJT 的基极发射极短路，使其牢固地关闭。理想情况下，您不要通过外部引线执行此操作，因为“短路”也会具有较高的寄生电感和电阻，从而使寄生 BJT 的“延迟”不那么强。取而代之的是，您在模具上将它们短路。

这就是MOSFET不对称的原因。可能某些设计在其他方面是对称的，但要制造像 MOSFET 一样可靠运行的 MOSFET，您必须将其中一个 N 区域短接到主体。无论您这样做，它现在都是源，而您没有短路的二极管是“体二极管”。

实际上，这并不是分立晶体管特有的。如果您确实有一个 4 端子 MOSFET，那么您需要确保主体始终处于最低电压（或最高电压，对于 P 沟道器件）。在 IC 中，主体是整个 IC 的基板，通常接地。如果主体的电压低于源电压，则必须考虑主体效应。如果你看一个 CMOS 电路，其中有一个源不接地（比如下面的 NAND 门），这并不重要，因为如果 B 为高，那么最下面的晶体管导通，而一个在它上面实际上确实有它的源连接到地。或者，B 为低电平，输出为高电平，而下面的两个晶体管中没有任何电流。

除了 Phil 的回答之外，有时您会看到 MOSFET 的描述，它提供了更多不对称的细节

^{来自electronics-tutorials.wa}

从基板（主体）到源的不对称链接显示为虚线。

从物理设备的角度来看，它们是相同的。但是，在生产分立 FET 时，由于衬底形成了一个内部二极管，其阴极在漏极，阳极在源极，因此必须使用标记的漏极端子作为漏极，标记的源极端子作为源极。