整个处理器采用相同的技术构建。这是由掩膜和光学器件决定的，以将它们投射到晶圆上的每个裸片上（称为“步进”的过程）。更小的特征尺寸允许在一个芯片上封装更多的组件、更低的功耗和更高的速度。在面具上花一大笔钱（他们确实花了一大笔钱）然后不利用它的可能性是没有用的。

需要明确的是：是的，相同的 28 nm 将用于整个芯片表面的一步，但不是，并非所有组件的尺寸都相同。只是 28 nm 掩膜不会被部分芯片换成 65 nm 掩膜。

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芯片上确实有更大的区域不需要 28 nm 小尺寸。典型的是倒装芯片的焊球焊盘：

注意比例：这些焊盘比芯片上最精细的结构大 1000 倍。这里可以使用不太精细的掩膜，但同样，如果工艺步骤也需要 28 nm，则两者都将使用相同的掩膜。这并不是因为焊盘很大，所以它们不必精确定位，而且如果您不必切换面罩，那么出错的可能性就会降低。

“技术”并不是您所要求的真正正确的术语。芯片的技术取决于制造它所需的特定处理步骤，除此之外，这决定了芯片上各种项目的最小特征尺寸。通常与特定技术（例如，28 nm）相关的数字专门指最小栅极长度，它由可在形成晶体管栅极的掩模上绘制的线的宽度决定。

可以肯定的是，并非任何给定芯片上的所有晶体管都需要最小栅极长度，并且许多晶体管需要超过最小栅极宽度（以获得更大的电流处理能力），所以是的，您确实会在芯片上看到许多不同尺寸的晶体管.

在任何给定的现代工艺中，具有多个 GOX（栅极氧化物）厚度是很常见的。这不是出于成本原因，而是用于与外部世界的接口。内核将在最低电压和更薄的 GOX 上运行，但速度会快得多。较厚的栅极氧化物晶体管连接到封装引脚，速度较慢，但​​工作电压较高。

随着您缩放 GOX 厚度，晶体管的物理尺寸也必须增加。

添加额外的步骤来适应这种双重 GOX 流程实际上会增加流程的成本。但它不能以其他方式工作。

使用不同技术的原因是为了降低静态功率（基本上是晶体管上的漏电流）。在 90nm 工艺中，静态功耗开始比较，最终超过了动态功耗。以及如何实现它，以及硅制造工艺涉及掩模和蚀刻，如果你可以进行 28nm 工艺，我认为 65nm 工艺可以使用 28nm 完成，它只是掩模上的一个大晶体管