晶闸管，我知道，是一个四层PNPN结构，第一个P段有阳极，第二个P段有栅极，第二个N段有阴极。这种简单的结构表明任何晶闸管都应该可以关闭，方法是将所有阳极电流引出栅极，使阴极电流变为零，从而解锁晶闸管。
在模拟器中，当提供足够低电阻的接地路径时，如下所示的晶闸管的双晶体管模型确实会关闭。
并且可以购买专门设计用于这种用途的晶闸管，称为 GTO（门极关断）晶闸管。
所以我的问题是：是什么让 GTO 晶闸管特别？它只是一个普通的晶闸管，但具有这种操作模式的特定特性吗？或者它内部是否有一些不同的硅结构使其工作方式根本不同？
有趣的问题！
让我们从我们通常如何使用晶闸管开始。阴极通常连接到地，阳极通过负载供电：
因此电子进入阴极并到达阳极。
在下图中，阴极位于顶部！所以电子从上到下流动（仅在掺杂分布中，不在上面的示意图中）！
经过一番搜索，我找到了这两个设备的掺杂分布图。
这是来自该站点的“正常”晶闸管的掺杂曲线。
这是 GTO 的掺杂曲线（与上面相同的来源，按 Next 几次）。
我看到的主要区别是 GTO 有一个额外的 P+ 区域（高度掺杂的 P 区域）用于栅极接触。这种高度掺杂的区域用于与该掺杂区域形成“更好的”、更低欧姆的接触。
根据维基百科：
关闭是通过栅极和阴极端子之间的“负电压”脉冲完成的。一些正向电流（大约三分之一到五分之一）被“窃取”并用于感应阴极栅极电压，从而导致正向电流下降并且 GTO 将关闭（过渡到“阻塞”状态。）
对我来说，这可以解释为什么 GTO 可以关闭而普通晶闸管不能。在普通晶闸管中，栅极与顶部 P 区域没有如此良好的接触，这会阻止它转移足够的电子以使晶闸管关闭。
在 GTO 中，与该 P 区域的接触要好得多，因此可以从该 P 区域移除更多电子（通过栅极）。此外，通过低欧姆接触可以更好地控制该 P 区的电压。这也允许栅极降低该 P 区域相对于阴极的电压，这将反向偏置阴极 (N+) 到栅极 (P) 结并阻断阴极电流。
