查看 Diodes Inc. 的数据表，我在跟踪其 MOSFET 的功耗限制计算时遇到了麻烦。
例如 DMG4496SSS http://www.diodes.com/_files/datasheets/ds32048.pdf
他们在第 1 页指定
- I_D(max) = 8A @ V_GS=4.5V（R_DS(on) = 0.029 ohm）
但是数据表也在第 2 页给出：
- 功耗 P_D = 1.42 W
- 结温 T_J = 150°C
- 热阻 R_\theta = 88.49 K/W
在第 3 页：
- R_DS(on) @ V_GS=4.5V, I_DS=8A 约 0.024 ohm
对我来说，这看起来像是一团糟：
- P = 0.029 ohm * (8A)^2 = 1.86 W，这明显大于第 2 页中 P_D = 1.42 W 的允许功耗
- 即使使用第 3 页的 R_DS(on)=0.024 ohm 值，P = 1.54 仍然大于允许的功耗
- 允许的功耗数据至少是自洽的：P_D =(T_J-T_A) / R_\theta = (150°C-25K) / 88.49 K/W = 1.41 W
- 但是，R_DS(on) 与 V_GS 和 I_D 与 V_DS 图似乎不一致： 查看 V_GS = 3.5 V 的情况：在图 1 中，点 (V_DS=0.5V, I_D=10A) 的切线约为6A/0.5V 这似乎意味着 R_DS(on) = 0.5V/6A = 0.083 ohm。看着图。然而，在图 3 中，R_DS(on) 在 10A 时更像是 0.048 欧姆。
如何使用 Diodes Inc 数据表？
所以给定数据表，如果提供一些 V_GS 和一些 V_DS，如何计算 I_DS(max)？例如 V_GS = 6V 和 V_DS = 12V。