我正在尝试修改现有的初始化序列（SDRAM 的低级初始化）以适应硬件配置的变化：我的 iMX31 上的现有 SDRAM 被替换为不同的大小，否则相同的 type/manufacturer/layout/pins/timings 。 . 根据规格。

简要设置场景和错误行为：我设法让电路板启动（顺序如下：从 NAND 执行引导加载程序，将“step2 bootloader”复制到 RAM，从 RAM 执行“step2 bootloader”）。但我似乎有一些设置错误，因为从 RAM 执行（跳转到第 2 步后）始终失败。

我进行了大量深入测试以识别错误参数，我的结果如下： - 从 NAND 或 JTAG 执行时，单字节/字读/写工作 - 从 NAND 执行时，逐块/突发写入似乎工作（ JTAG 也是）有趣的事情： - 在逐块写入之后，我需要对任何 SDRAM 地址进行多次读取以读取正确的字节/字（！） - 如果我将列设置修改为仅使用更高的（+1）数量“加载模式”列但不用于预充电/刷新，然后它可以工作，但不一致（根据我的理论，它在较低的地址范围内可靠地工作，丢失的列无关紧要）。

要了解我的配置：RAM 中的设置几乎与此问题中的设置相同。这并不奇怪，因为它们是由 Freescale 提供的，除了 RAM 时序： 在 Freescale iMX31 上，我如何将 SDRAM 地址转换为 CPU 地址？ 我的原始设置是相同的（链接中也是 64MB SDRAM），我的新 RAM 是 128MB。所有参考板都提供 64MB 或 128MB，因此 iMX31 和衍生产品都支持这两个值。

我必须做出的改变（注意：假设！）仅在 RAM 的 COLUMN 配置（它是另一列）中。RAM 的大小是两倍，但除此之外，规范要求完全相同的时序等。由于它只有一列（参见上面的链接，我的预充电、刷新和加载模式寄存器从 0x92100000 更改为新 RAM 的 0x92200000 - 例如) 没有其他任何改变。

问题 1：我的假设是否有意义，即如果所有时序和物理芯片特性（影响驱动强度、时序和功耗）都相似，那么列数的变化可能是“本地的”（不影响其他设置）？有趣的是，我将我的设置与在线提供的许多其他设置（U-Boot、Red-Boot 128MB）进行了比较，除了板级特定设置（例如驱动强度）之外，我没有发现差异。

问题 2：我上面的错误行为（写入工作，仅读取部分）可能是 RAM 的某个无效设置所独有的。有谁能给我一个建议，让我仔细看看哪个设置？也可以设置“安全”参数，这样即使性能下降，系统也可以让我缩小罪魁祸首。