在锗晶体管时代，射频晶体管是 PNP 小信号器件。其中一些小型金属外壳 BJT 有 4 条引线，而不是通常的 3 条。金属罐被隔离，第 4 条引线称为屏蔽，并连接到内部屏蔽。此类设备的常见欧洲示例部件号是：
我什至在早期的固态 MW AM 汽车收音机中看到过这种晶体管，而流行的 Phillips 1960 年代电子设备有一个 AF116。
当然，由于锡晶须导致屏幕短路存在一些可靠性问题，但它们并没有那么糟糕。当天的长引线会破坏 HF 屏幕的有效性，但引线可能会缩短。
小型 SMT 组件的正常方法是在多个组件上放置一个大屏蔽或“罐”：
（来自此链接的图片）
他们确实进入了硅时代……只是。例如，寻找 TO-72 封装中的任何晶体管：它是 TO-18 的 4 引线版本，额外的引线连接到外壳。
举几个例子：BF115（可能在AF116之后？）还有BF173和2N4416 JFET。
而2N5179 - 仍然（只是？）可从 Farnell 获得。
我相信杀死他们的原因是从金属罐（TO-18、TO-72、TO-5 等）转向环氧树脂（TO-92 等）包装，在这种情况下，筛选需要额外费用。
在 pjc50 的答案中那些闪亮的罐子里，你经常会在阶段之间找到更多的内部分区，所以这个想法并没有完全消失。
如果任何元素的长度甚至接近相关频率的射频可以耦合进来的长度，那么射频屏蔽是有意义的。
对于 SMD 组件，这只会发生在毫米波区域。
对于毫米波电路，您基本上需要将包括电路板在内的整个电路视为您想要模拟以了解发生了什么的射频元件：您不会期望任何来自外部的“杂散”辐射，因为您d 通常射频封装整个电路，并且电路本身没有杂散辐射，因为无论如何都需要将所有东西设计为传输线而不是简单的载流迹线。