对于第 1) 点，电流回路是 VCC、R1 和 VBE 结，对于大多数实际用途而言，它或多或少是一个 0.6V 二极管。

所以你有VCC=I*R1+VBE，这本书有一个严重的错误……

对于第二点，你的电流图是错误的：你不能从基极拉集电极电流（在通常的偏置模式下！）。当您切换 NPN 晶体管时，您将电流通过 VBE 结并提供集电极增益。

关闭它会清空VBE 结中剩余的任何电荷并停止收集器流动。实际上，在开路基极的情况下，您只会有集电极截止电流（大约 100nA，通常是可跟踪的），但是由于寄生效应，一些电流可能会泄漏到基极并打开晶体管。

如果您实际上使用如图所示的机械开关切换晶体管，则可以将基极接地而不会出现问题。在实践中使用抛出开关是没有用的，“通常”的晶体管设置是这样的

^{模拟此电路- 使用CircuitLab创建的原理图}

（电阻值和电压不正确，只是为了显示电路的形状）

这通常被称为共发射极开关。共发射极，因为控制电流从基极流向发射极（基极电流），负载电流从集电极流向发射极（集电极电流）。

在这个电路中，您可以看到为什么基极对地电阻应该有点大：否则所有控制电流都会通过它！

两个电阻值的计算称为晶体管偏置：当开关闭合时，您将需要一些 mA 的基极电流，而在开关打开时 VBE 小于 0.6V。希望你的书会在几页后解释这一点。

1. 是的，你是对的，这本书有错误。

2. 考虑到漏电流，集电极电流 Ic =$\beta I_B +(\beta+1)I_{CBO}$ 在没有 Ib 的情况下添加电阻器可将集电极电流降低到$I_{CBO}$. 电阻器需要足够低，以使最高值$I_{CBO}$基部最多只呈现几百毫伏。短路是一个可接受的值，尽管在某些情况下考虑可能的故障模式时您可能更喜欢电阻器（超出此答案的范围）。

和...之间的不同$I_{CBO}$和$(\beta+1)I_{CBO}$在良性条件下（室温）可能不是那么好，因为$\beta$在 nA 集电极电流下非常低（它不是简化视图中的常数 - 它在高和低集电极电流时都会减小）。

尤其是在高结温下（或使用泄漏晶体管，如旧锗类型）$I_{CBO}$呈指数级增长，并且总集电极泄漏可能会上升到令人反感的水平。例如，只有几 uA 电流的 LED 可能看起来可见发光。或者在待机状态下电池电源可能会过早耗尽。

1. 你是对的。书错了，打一个。

2. 再次，您提出了一个很好的观点 - 电流不能从基极流出（好吧，它可以，但它是皮安，最坏的情况是纳安，只是漏电流）。然而，虽然不连接双极晶体管的基极不太可能导致任何大电流流动（流入基极，或从集电极流向发射极），但这是可能的。底座是一个相对较高的阻抗，很容易将电流以电容方式（从您自己附近的身体）或电磁方式（如天线）耦合到其中。如果被驱动的负载不那么重，例如 LED，您可能只需用手指触摸底座即可打开 LED，将电流注入底座（从而提高其电位），电容耦合的电流从您周围的电源线到您的身体。一世' 以这种方式制作触摸传感器很有趣。作者使用 R2 来防止这种情况发生，但实际上这是一个额外的、不必要的组件。将基极直接接地将具有相同的效果，将基极电位保持为零。我认为这是本书的第二个打击。

3. 我知道没有第三个问题，但我还是要回答它。作者指出，除非 Vc 低于 Ve 以上 0.6V，否则 Ic = hfe × Ib 的关系成立。这也是不正确的。它一直有效，直到饱和，此时集电极电压仅比发射极高 0.2V（或在该附近的某个地方，取决于晶体管 - 在这方面，一些晶体管比其他晶体管更好）。那是三击。它肯定是出来的。

1. 应该是笔误。I = (Vdd - 0.6)/R1。

2. 如果我们没有 R2，基地可能是浮动的。我们需要一些东西来拉下来。BJT 中可能会出现一些漏电流。