晶振电容的选择方法

电器工程 微控制器 振荡器 水晶 电容 加载
2022-01-12 13:23:24

这是来自 TI 参考设计之一的 32 MHz 晶体

在此处输入图像描述

BOM 列表将晶体定义为

" CRYSTAL, OSCILATOR, 32MHz, 10pF, 10PPM/+10PPM, ‐40DEGC/+85DEGC, SMD"

它适用于 MCU (ARM M3),数据表中有以下子章节:

在此处输入图像描述

这是 32 MHz 晶体振荡器章节的链接:

在此处输入图像描述

当我使用上面的 CL 公式时:

CL = 1 / (1/12pF + 1/12pF) + Cp = 6 pF + Cp

TI 的另一个使用同系列芯片的参考设计具有以下晶体 在此处输入图像描述

其余定义同上式及注。BOM 将晶体定义为:

晶体,32.000MHz,NX3225DA,10/15ppm,16 pF!温度范围 -30 - +85 摄氏度!

CL = 1 / (1/27pF + 1/27pF) + Cp = 13.5pF + Cp

我无法真正理解如何选择价值观C341C351有人可以解释一下吗?

您如何假设 Cp 的值?

1个回答

Cp 是输入电容加上杂散电容。您可以使用几个 pF (3-5pF) 的值,除非真的很奇怪。

因此,对于额定负载为 10pF 的晶体,Cl = (10pF-Cp) 2,因此如果我们使用 4pF 的 Cp,我们得到 12pF 的负载电容。

对于 16pF 晶体,Cl = (16-Cp) 2,因此使用 4pF 的 Cp 我们得到 24pF,使用 3pF 我们得到 26pF。